GB/T 36477-2018半导体集成电路　快闪存储器测试方法.pdf

ICS31.200 L56 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT36477 2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 — Semiconductorinteratedcircuit g Measurin methodsforflashmemor g y 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 中国国家标准化管理委员会 / — GBT36477 2018 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅰ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 一般要求 ………………………………………………………………………………………………… 1 4.1 设备和条件 ………………………………………………………………………………………… 1 4.2 电参数测试向量 …………………………………………………………………………………… 1 5 详细要求 ………………………………………………………………………………………………… 2 5.1 输出高电平电压和输出低电平电压 ……………………………………………………………… 2 5.2 输入高电平电压和输入低电平电压 ……………………………………………………………… 3 5.3 输入高电平电流和输入低电平电流 ……………………………………………………………… 5 5.4 输出高电平电流和输出低电平电流 ……………………………………………………………… 5 5.5 输出高电阻状态电流 ……………………………………………………………………………… 6 5.6 电源电流和漏电流 ………………………………………………………………………………… 6 5.7 传输时间 …………………………………………………………………………………………… 7 5.8 建立时间和保持时间 ……………………………………………………………………………… 9 5.9 延迟时间…………………………………………………………………………………………… 11 ( )……………………………………………………………………………… 5.10 有效时间 适用时 11 5.11 存储器的特定时间 ……………………………………………………………………………… 11 存储单元 变 功能 …………………………………………………………………………… 5.12 0 1 11 存储单元 变 功能 …………………………………………………………………………… 5