49―2反应堆单晶硅辐照数据管理系统设计与实现.docVIP

49―2反应堆单晶硅辐照数据管理系统设计与实现 　　3.中国原子能科学研究院 北京 102413） 　　摘 要：对单晶硅的中子嬗变掺杂，是将原始单晶硅放入反应堆孔道中进行辐照，从而实现硅材料的磷掺杂，再经过必要的处理，获得性能优良的N型（NTD）硅。使用该方法辐照后的N型硅具有掺杂均匀性好、精度高的优点。中子辐照掺杂方法，使原始单晶硅的利用率达到100% ，满足了市场需求，大大提高了经济效益。近年来，随着市场需求的增长，单晶硅辐照的任务量与日递增，客户的要求也进一步提高。现有的辐照管理模式中存在的一些弊端，在新形式下逐渐显露出来，这就对单晶硅辐照的管理和质量控制工作提出了更高的要求。由此提出了通过引入数据管理系统，优化现有辐照管理模式的建议。2011年，经过需求分析、研制开发、运行调试等过程，49-2堆成功建立了单晶硅辐照管理系统，并在工作实践中的通过了有效性检验，大力保证了49-2堆单晶硅辐照工作高质、高效、安全、有序的开展。 　　关键词：单晶硅 中子擅变掺杂 辐照数据 管理系统 　　中图分类号：TL71 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2015）08（b）-0109-04 　　1 149-2反应堆单晶硅辐照生产工艺与质量控制 　　1.1 单晶硅辐照掺杂原理 　　1.1.1 单晶硅辐照掺杂的核物理过程 　　单晶硅辐照掺杂的主要核反应为：30Si（n，γ） 31Si→31p。 　　1.1.2 辐照时间的计算 　　已知硅棒的原始和目标电阻率，通过控制单晶硅接受的中子注量，来控制掺杂后31p的浓度，其浓度决定单晶硅辐照后的和电阻率。辐照时间的计算公式： 　　（1）设原始为N型的单晶硅，电阻率为ρo，辐照目标电阻率ρt，则有： 　　Фt=K?（1/ρt-1/ρo） （1） 　　（2）设原始为P型的单晶硅，电阻率为ρo，辐照目标为N型、电阻率ρt，则有： 　　Фt=K?（1/ρt+3/ρo） （2） 　　（3）设原始为N/P型的单晶硅，辐照目标为N型、电阻率ρt，则有： 　　Фt=K?1/ρt （3） 　　K表示掺杂系数，Фt表示中子注量，已知各孔道中子注量率，则可求辐照时间t。 　　1.2 辐照工艺流程（见图1） 　　1.3 辐照装置 　　49-2堆设置单晶硅生产直孔道共计20根，其中9根（Ф70 mm×1.5 mm）固定在堆芯反射层内，另外11根（Ф125 mm×4 mm）固定在堆芯反射层外。孔道为湿孔道。 　　旋转电机固定在涡头内，涡头上部有吊装孔，通过金属链与单晶硅吊兰连接，吊车上的吊装机构抓住吊装孔后，可实现单晶硅的出入堆操作。未照硅预处理后码放至操作平台，用机械手将硅放入吊兰内，再用吊车吊入孔道内进行辐照。辐照时电机带动硅样品旋转，以保证辐照的径向均匀性。辐照装置见图2。 　　1.4 单晶硅辐照命中率和产量的控制 　　1.4.1 掺杂均匀性的控制 　　用硅样品旋转辐照的方法来保证。掺杂的轴向均匀性的控制，用倒头或换位来保证。 　　1.4.2 控制辐照精度和产量的方法 　　（1）孔道积分通量的测定：49-2堆采用活化探测片（铝钴片）随堆测量与退火数据跟踪倒推法相结合的方式来测定各个辐照孔道的中子通量；（2）辐照时间控制：采用时间控制法控制辐照精度。使用时间和排位计算程序，根据原始数据进行计算，批量计算出每支硅所需要的辐照时间，并进行组罐和排位；（3）硅尺寸与辐照质量控制：辐照有效段在50 mm至450 mm，两支硅总长度要求小于400 mm；中子注量率分布不均（如图4所示），所以单支硅要求不超过220 mm；辐照中半时倒头，保证轴向均匀性。 　　1.5 单晶硅辐照生产现状 　　单支硅的平均重量约1kg，49-2堆每个运行周期约10天，产量约600 kg，折合单周期辐照单晶硅支数约为600支；单晶硅库房通常情况下存放单晶硅约5 t，按平均重量折合成支数约5000支。可见，单晶硅生产过程所需数据量是比较大的，现有的时间计算与排位程序解决了批量计算与排位的问题，但数据的检索、纠错、清点、批量处理等问题仍待解决。 　　2 单晶硅辐照数据管理程序的设计与建立 　　单晶硅辐照管理的主要内容是对单晶硅的实物以及与之对应的数据进行管理，对单晶硅数据的管理渗透到生产过程中的每一个环节。虽然辐照时间计算程序能够成批量完成辐照时间计算、组合、排位、制表等工作，但其运行需要以详实的原始数据作为支撑。 　　随着单晶硅产业的不断发展壮大，原始的数据管理方式已经很难适应现今单晶硅辐照工作的需要。2011年初，在对比同行业单晶硅辐照管理先进模式，借鉴其他研究堆单晶硅辐照数据管理经验的基础上，49-2堆开展了单晶硅辐照数据管理系统的设计研究工作。 　　2.1 分析实际工作中所遇到