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Z-RAM重塑芯片市场格局 　　一家瑞士公司可以把5MB大小的内存做到一块芯片上。这也预示着Z-RAM（零电容RAM）内存技术未来将可能大放异彩。 　　在日内瓦湖畔，一家成立才四年的瑞士公司Innovative Silicon眼下流传着这样一个玩笑: 最先进的微处理器芯片不应当是带嵌入式内存的逻辑芯片，而应当是带嵌入式逻辑的内存芯片。 　　但千万不要把这个玩笑不当回事。片上内存已经占了任何一款知名微处理器表面积的一半以上; 预计到2008年会占生产的高端处理器表面积的83%，到2011年更是会占到惊人的90%。对将来难以塞入数百MB大小的内存、而芯片尺寸不用做得更大的设计师们来说，这绝非儿戏。 　　这就是为什么有可能笑到最后的是Innovative Silicon――它实际上是一家知识产权公司。位于洛桑的这家公司开发出了号称世界上密度最大、成本最低的嵌入式内存技术。该技术名为Z-RAM，即无电容器动态随机存取存储器。它只要在片上芯片市场夺得哪怕很小的份额，也有望改变微处理器设计的基本原则，并且迅速让Innovative Silicon成为一家让对手不可小觑的公司。 　　 　　走近Z-RAM 　　 　　半导体行业绝对不乏这样一些创新的内存技术: 它们原本有望征服世界，却未能如愿。Z-RAM又有什么独到之处呢？Pierre Fazan是Innovative Silicon的创办人之一，也是公司主席兼首席技术官。他说，Z-RAM基本上不需要任何新材料，也不需要制造工艺增加额外的处理步骤。 　　这对芯片生产商来说极为重要，它们不愿为已经很复杂、很精密的工艺添加任何新材料，唯恐添加的材料会减少从生产线下来的工作芯片所占的比例。额外的处理步骤也让人讨厌，因为它们会增加成本，而且往往是大幅增加。 　　Z-RAM的魅力就在于: 不用什么特别的半导体，不用结构独特的元件，也不用试验性的绝缘体。每个存储单元就是一个晶体管，仅此而已。相比之下，传统的片上内存通常每个存储单元使用六个晶体管。所以可以把5MB的Z-RAM内存做到仅仅1MB的传统嵌入式内存占用的面积上。这样可以大大增加芯片上的内存数量，从而提高性能，并且大幅减小芯片的尺寸和成本。连Innovative Silicon外面的工程师们也承认这种想法的魅力。 IBM公司的嵌入式内存专家Subramanian S.Iyer说: “这是一项绝妙的技术。” 　　Innovative Silicon的另一位创办人兼首席科学家Serguei Okhonin说: “晶体管是世界上被人研究最多的一种元件。为了让晶体管可以作为内存正常工作，我们必须另辟蹊径。”他们最终发现了一种方法，可以临时把比特作为电荷存储在做到绝缘硅（SOI）半导体晶片上的晶体管里面。 　　2000年，当时还在洛桑联邦理工大学的Okhonin和Fazan是成功研制出这种内存的两家组织中其中一家的研究人员，这种内存就叫浮体单元（floating-body cell）。但此后，几大芯片生产商，尤其是东芝公司和瑞萨科技公司（两家公司总部都在东京）亦步亦趋。 　　不过，Okhonin和Fazan在去年捞到了微处理器市场的其中一条大鱼: 加利福尼亚州的AMD公司，从而遥遥领先对手。这家年产值达58亿美元的美国公司与Innovative Silicon签约，从后者手里购买许可证，以便可能把Z-RAM集成到将来的处理器里面。AMD负责工艺技术和开发的副总裁Craig Sander在接受采访时说: “AMD正在考虑采用这项技术用于我们的最高端微处理器。要是取得成功，该技术还有望应用到成本较低的微处理器上。” 　　小型机之父Gordon Bell说:“这项技术不会轻易得来，而一旦付诸现实，它就会成为一项了不起的技术。” 　　同时，东芝也紧追不舍，推出了一种类似的快速、紧凑的嵌入式内存，Innovative Silicon没有坐以待毙。就在几周前，它推出了革命性的新版本Z-RAM（Gen2），从而会让竞争对手回到实验室、继续致力于开发。 　　Z-RAM这项技术兼顾了半导体行业的两个必要元件: 处理速度更快、功耗更低的更多片上内存和晶体管。 　　对微处理器生产商（英特尔是个例外）而言，速度和效率的提升越来越来自使用SOI晶片。SOI晶片可以充当基底，那样就可以在上面制造元件。虽然SOI晶片仍占市场上销售的半导体晶片总量的一小部分，但交付量在2006年翻了一番，达到2.2万平方米，预计到2008年会增加到3.9万平方米。 　　而SOI晶片有别于普通硅晶片的地方在于，它有一个非常薄的二氧化硅绝缘层，埋在离表面几百纳米以下或者不到几百纳米的地方。这个绝缘层把晶体管与晶片的绝大部分隔离开来，进而限制了晶体管为了导通或者切断所要传送