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变温四探针电阻率测试仪开发及本科教学实践 　　摘 要：为了便于测量半导体薄膜在变温下的电阻率，满足本科生《半导体材料》课程的教学要求，利用现有一台室温四探针测试仪和一台恒温加热台，开发了一台变温四探针电阻率测量仪，测量温度范围从室温到300oC。通过磁控溅射法制备了热致相变材料二氧化钒薄膜，利用自组装的变温四探针测试仪测量了该薄膜在不同温度下的电阻率，得到了相变转变温度。教学实践表明：该变温四探针能够很好的满足关于半导体材料电阻率与温度变化关系实验测量的教学大纲要求，取得了良好的教学效果。 　　关键词：四探针 电阻率 变温测量 教学效果 　　中图分类号：TH162.1 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2011）01（c）-0122-02 　　半导体材料已成为微电子学、光电子学、磁电子学、传感器、太阳能利用等新兴学科的材料基础。《半导体材料》课程比较全面的介绍了半导体材料的基本概念、以及制备方法。通过本课程的学习，要求学生掌握半导体材料的基本概念，以及各种制备方法，扩大学生的知识面，培养学生解决实际工程技术问题的能力，为以后的科研工作打好基础。 　　电学性能是半导体材料区别金属材料和绝缘体材料的主要特征，因而测量半导体材料的电学性能是必备的表征手段。原先的《半导体材料》课程教学大纲中，没有涉及半导体材料电阻率测量的实验教学环节。新修订《半导体材料》课程教学大纲中，半导体材料电阻率与温度关系测量实验教学是主要的实验教学内容。 　　四探针测量仪具有测试原理简单、测试精度高、简单快捷的优点，在半导体技术中得到了广泛的应用，已经成为半导体生产工艺中应用最为广泛的工艺监控手段之一。半导体材料的电学性能与温度密切相关，一般来说，半导体材料的导电能力随温度升高而迅速增加，即半导体的电阻率具有负的温度系数。而某些热致相变材料在转变点温度时电阻率会发生急剧变化，比如二氧化钒在68℃附近发生半导体与金属结构相变[1，2]。 　　本论文的目的在于利用现有的室温四探针测试仪和恒温加热台，开发一台变温四探针测试仪，开展半导体材料电阻率与温度关系的测试实验教学。通过磁控溅射法制备二氧化钒薄膜，开展电阻率与温度关系的实验教学，实践表明：该变温四探针能够很好的满足关于半导体材料电阻率与温度变化关系实验测量的教学大纲要求，取得了良好的教学效果。 　　1 变温四探针测试仪的开发 　　1.1 室温四探针测试仪 　　实验室现有的室温四探针测试仪，型号为KDY-1四探针测量仪，属于直线型测试方法。四点探针的原理见图1所示，四个探针（1，2，3，4）等距（间距为S）排成一条直线，给探针施加一定的压力，使其垂直的压在一块样品的表面。外侧的两个探针（1，4）之间施加精密恒流电流I，中间的两个探针（2，3）之间接高精度数字电压表U。 　　如果样品的尺寸与探针间距大小相比都可视为无限大，探针1与样品表面接触可以看成是点电源，根据拉普拉斯方程，可以得到距离探针1（点电源）r处的电势为 　　（1） 　　探针2处的电势差应为探针1和探针4两个极性相反电流源的共同作用： 　　（2） 　　探针3处的电势差同样应为探针1和探针4两个极性相反电流源的共同作用： 　　（3） 　　所以，探针2和探针3两点间的电势差为： 　　（4） 　　由于直线型四探针间距相等，都为S，代入（4）中，因而 　　（5） 　　因而知道电流I1，4、电压V2，3、探针间距S，就可以计算出半导体薄膜的电阻率[3，4]。 　　实验现有的恒温加热台型号为AZY1010，加热功率1000W，平台尺寸10cm*10cm，温度范围：室温-300oC，温度精度为1oC。 　　1.2 变温四探针测量仪 　　为了实现变温测量，需将样品放在恒温加热台上进行加热和控温。由于现有四探针探头和测量底座的最大高度只有10cm，而恒温工作台的整体高度达到20cm，超过了探头导轨的最大高度。因而重新加工了一个30cm高的导轨，这样恒温加热工作台就可以整体放入探头的正下方，样品放在恒温加热台，实现变温测量。 　　为了开展半导体材料电阻率与温度关系的测量实验教学，本文利用磁控溅射法制备了二氧化钒薄膜，并测量二氧化钒薄膜电阻率与温度的变化关系。 　　2 实验教学实践 　　2.1 二氧化钒薄膜的制备 　　本文采用MSIB-6000型磁控溅射设备制备二氧化钒薄膜，衬底为石英片，靶材选用高纯二氧化钒靶材，靶材直径为60mm，厚度为3mm。实验的具体参数如下：背底真空度1×10-4Pa，溅射功率100W，溅射气压0.5Pa，氩气流量30sccm，溅射时间30min，衬底温度300℃。溅射前先用有机溶剂对石英片超声波清洗10min，再用去离子水清洗10min，然后用氮气吹干。沉积薄膜前对靶预溅射5