GaN基HEMT器件研究调研.pptx 36页

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  • 2018-08-26 发布
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    GaN基HEMT器件研究调研HEMT 器件的引出;GaN基材料的引出;典型AlGaN/GaN制备工艺典型AlGaN/GaN-HEMT器件制备工艺GaN-HEMT研究现状和未来的研究方向Contents随着高频无线通讯产业的发展,同时满足特殊领域的发展,高速,高压,耐高温,耐腐蚀,高频等晶体管的需求呼声越来越大——从而使具有这些特性的器件高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究和发展必须要减短信号传输的延迟时间τd 和减小器件的开关/view/14394.htm能量,而这些要求在对逻辑电压摆幅Vm的选取上是矛盾的,因此难以实现超高频、超高速;HEMT 器件的引出 HEMT,高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频(毫米波)、超高速领域,原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。在通常的mos器件中,沟道区是对体掺杂而形成的,多数载流子与电离杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射,从而使载流子迁移率减小,器件性能降低。我们可以考虑将多数载流子从电离了的杂质中分离出来从而避免迁移率减小。HEMT简介2DEG简介 如果三维固体中电子在某一个方向上的运动受到阻挡,被局限于一个很小的范围内,那么,电子就只能在另外两个方向上自由运动,这种具有两个自由度的电子就称为二维电子气(2-DEG)。 当势阱较深时,电子基本上被限制在势阱宽度所决定的薄层内,即形成了(2-DEG)。特点:电子(或空穴)在平行于界面的平面内自由运动,而在垂直于界面的方向受到限制。设计HEMT时,需要考虑N型AlxGa1-xAs层的厚度和组分x的值。从减小串联电阻的角度来分析,这层的厚度是越小越好,但是最小厚度是由器件的工作模式来决定。对于耗尽型HEMT,通常该层35-60nm。提高AlxGa1-xAs的含量x,会使得该层禁带宽度增大,导致导带突变量△Ec增大,从而导致2-DEG浓度变大,但是当x太大时,该晶体缺陷增大,呈现雾状,从而使得表面质量下降,会给工艺带来困难。一般取x=0.3通过改变栅压可以改变势阱的深度和宽度,从而改变2-DEG的浓度,实现对HEMT漏极电流的控制。两种不同禁带宽度的半导体接触以后,由于费米能级不同而产生电荷的转移,直到将费米能级拉平。电子和空穴的转移形成空间电荷区,内建电场的作用使能带发生弯曲;因禁带宽度不同,而产生了尖峰未组成异质结前半导体能带图理想pN突变异质结的能带图1960年,安德森(Anderson)预言在异质结界面存在有电子的积累1969年,Easki和Tsu提出在禁带宽度不同的异质结结构中,离化的施主和自由电子是分离的。这减少了母体对电子的库仑作用,提高了电子迁移率。1978年,Dingle 在调制掺杂的异质材料中观察到了载流子迁移率增高的现象。随后,在调制掺杂GaAs/n-AlGaAs单异质结结构的实验中,证明了异质界面存在着具有二维行为的电子气(2-DEG) ,而且有高的迁移率.1980年,一种新调制掺杂GaAs/n—AlxGa1-xAs异质结构场效应管 ,即所谓高电子迁移率晶体管(HEMT)问世.GaN基材料的引出1.最大的电子饱和迁移率,因此高频,高速应用潜力巨大;2.达到禁带宽度,加上GaN又有极好的化学稳定性,允许在更高工作温度;3.有比其它材料高一个数量级的击穿电压,使得有高的多的栅,漏击穿电压,因此可以在更高的电压下工作;4.异质结导带不连续大约0.7eV,2DEG有约E13,因此有高的多的电流能力;大的禁带宽度(0.75-6.2eV);强极化效应(GaAs的4-5倍);高临界场强(2MV/cm);高载流子饱和迁移率(2*E7cm/S);高热导率(1.3W/cmK);Doped AlGaN layerBuffer layerBarrier layerchannel layerSubstrateGaN基HEMT2010年:100-nm-Gate (Al,In)N/GaN HEMTs Grown on SiC With FT = 144 GHz;典型AlGaN/GaN制备工艺衬底清洗:(H2SO4:H2PO4=3:1)中刻蚀约20min,去离子水冲洗,N2气吹干;衬底预热:800℃,暴漏在氨流中5-15min完成氨化;缓冲层AlN沉积:衬底温度800℃,铝源温度1070℃,氮源氨气的流量16SCCM;生长i-GaN:衬底温度降到700℃,镓源970℃,氨气流量35SCCM(5*E16cm-3);生长隔离层AlGaN:衬底温度800℃,Ga源温度970℃,Al源温度1070℃,氨气9SCCM,它可以阻止施主层掺杂的硅原子扩散进入沟道界面,

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    • 审核时间:2018-08-26
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