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基于COMSOLMultiphysics硅通孔信号传输性能分析 　　摘 要： 通过分析信号?地TSV物理结构，提出可扩展等效电路模型，并用数学表达式表示出电容电感等电学参数。然后用多物理场耦合三维仿真软件COMSOL Multiphysics仿真信号?地TSV三维模型，并将COMSOL Multiphysics软件仿真分析得到的插入损耗结果和数学模型得到的结果作比较，验证建立的等效电路模型的准确性。最后，分析信号?地TSV半径、高度与间距对其插入损耗的影响。结果表明，信号?地TSV互连结构的传输性能随着半径的增大变得越好，随着其间距和高度的增加而变得越差。 　　关键词： 信号?地硅通孔； 等效电路模型； 插入损耗； 信号传输 　　中图分类号： TN911.6?34； TP381 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2017）23?0034?04 　　Abstract： By analyzing the physical structure of signal?ground TSV， a scalable equivalent circuit model is put forward， and its electrical parameters such as capacitance and inductance are shown with mathematical expressions. The multi?physics coupling three?dimensional simulation software COMSOL Multiphysics is used to simulate the three?dimensional model of signal?ground TSV. The insertion loss obtained with COMSOL Multiphysics simulation analysis is compared with that obtained with mathematical model to verify the accuracy of the established equivalent circuit model. The influence of the signal?ground TSV′s radius， height and spacing on the insertion loss is analyzed. The results show that the transmission performance of the signal?ground TSV interconnect structure becomes better with the increase of the radius， and worse with the increase of the height and spacing. 　　Keywords： signal?ground TSV； equivalent circuit model； insertion loss； signal transmission 　　0 引 言 　　TSV作为新一代微电子封装技术，在半导体器件中起着越来越重要的作用，其结构使用的方式是垂直互连，这样能很好地提升封装密度、提高系统可靠性、降低噪声及减小功率损耗等。因为TSV结构使用垂直互连方式，使其互连结构尺寸变小、在空间的排布也越密，现在很多微电子使用的工作频率逐渐提升，因此产生的问题也越来越多，所以，分析TSV互连的传输参数及传输性能是很有必要的。从TSV封装结构上可以看出，作为实现芯片之间互连的TSV结构必须确保电流和信号在整个系统内的正确传输，TSV半径、TSV高度、TSV之间的距离，这些参数的变化对电流和信号在其内部的正确传输有不可低估的影响。 　　当前已经有许多学者对TSV的电磁性能和传输性能进行分析。文献[1]分析了TSV在热?结构耦合下3D?TSV互连结构的应力应变，对其信号的完整性分析在振动环境下有一定的参考；文献[2]研究单个硅通孔模型证实了应力分布受填充材料的影响，提出钨在热应力方面的优越性，得出了硅通孔尺寸（通孔半径、通孔高度等）与热应力之间的关系与规律；文献[3]通过HFSS对TSV进行建模与耗散分析研究了TSV直径与间距比例对其耗散系数的影响；文献[4]在传热条件下分别提取了硅通孔纵向和横向的热阻和温度的热传输解析模型；文献[5]分析了硅通孔物理结构尺寸参数（半径、宽高比、绝缘层厚度和TSV填充物）对硅通孔热传导的影响；文献[6]提出一种同轴TSV结构，并利用HFSS软件分析了不同绝缘层材