极板间距对反应溅射gexg1—x薄膜的影响sajyjc5q.doc

极板间距对反应溅射GexG1—x薄膜的影响 1998年l1月西北工业大学N..1998 第16卷第4期JOURNALOFNORTHWESTERNP0LYTEcHNIcALUNIVERSITYV01.16No.4 ⑧6,一le 极板间距对反应溅射GeC一薄膜的影响 ., 朱景 . 郑修麟@ .摘要利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH为原料气体,在较宽的I艺参数. 关键词Gexc一蓬鹭,射频磁控匡苎垦,墼丝塑望 中图分类号TN213 引言磷化稍半手伟 碳化锗(GeC一)薄膜所具有的独特}生能引起了人们的较大关注.它是—种颇为理想的新 型的红外镀膜材料～q,在较宽范围内光学带隙可调且高温能稳定6],这将使其对光伏和 光热应用有十分重要的意义,因而是很有发展前景的半导体薄膜材料.目前国内关于GeC一 薄膜的研究较少,开展对GeC薄膜制备工艺的研究对制备高质量的薄膜是非常必要的. 制备GeC一薄膜的常用方法有两种.一种是等离子体增强化学气相沉积(PACVD),即 利用GeH和cH(或C'Ho)的混和气体辉光放电获得GeC一薄膜0:.另一种是反应溅射 (Rs),即利用Ar+cH等碳氢气体去溅射Ge靶.通过对比发现,反应溅射不需要利用锗烷等 既昂贵又危险的气体,且制备的薄膜吸收系数小结合实际情况,选用反应溅射来制备碳化锗 薄膜. 极板间距(靶基距)是辉光放电系统中十分重要的参数.国外对反应溅射GeC一薄膜的 制备工艺已有—些报道],但关于极板间距对GeC一薄膜沉积的影响少有涉及,本文主要研 究极板间距对薄膜沉积速率,薄膜均匀性和薄膜成分的影响. 1实验方法 采用射频磁控反应溅射法制备GeC一薄膜沉积实验在改装后的GDM--300BN型高真 空镀膜机一进行,如图1所示.射频功率输出端经匹配网络后接于溅射靶极,原料气体高纯Ar 和高纯cH(99.995)经D08—2A/ZM质量流量计精确控制后以不同比倒通入真空室溅射 靶材为O65mm×4mm的单晶锗片,衬底材料为si单晶片和玻璃 制备过程的工艺参数范围为:气体流量比CH:Ar=20,射频功率200W,衬底温度 800~C,工作气压1Pa,沉积时间2h.极板间距为40~75mm.薄膜厚度测量采用6JA型干涉 ①西北工业大学博士生 本文收到日期:l997—04—28 ②西北工业大学教授③西北工业大学硕士生 *航空科学基金资助 西北工业大学第16卷 显微镜进行,沉积速率用所得薄膜的平均厚度d除以时间f来计算一d/). 1真空室;2磁控电极;3屏蔽罩;4观察窗;5靶;6旋转挡板;7衬底; 8阳极板i9不锈钢筒;10卤钨灯加热装置;11抽气系统}12质量流量计 图1沉积设备示意图 2结果与讨论 2.1极板间距对沉积速率的影响 从巴邢曲线可知,在溅射选择气压的范围内,随气体压力P与极板间距的乘积P的减 小,维持放电的射频电压增大,这与本实验观察—致,极板间距增大时容易起辉. 辉光放电中Ar的平均自由程为 一 (2.67×l0l) P为工作气压值(单位Pa),表示碰撞截面大小(单位cn'l).对Ar气中的Ar+其or,在 2×10～5×10间变化,实际的溅射气压约为1Pa,这样的平均自由程就在1cn'l左右. 在所选用的极板间距范围内,溅射原子自靶面迁移至衬底过程中间需经过5～10次碰撞,当 极板间距从40mm变到75nln'l时,与气体原子,离子碰撞的次数将增加近—倍,到达衬底的可 能性因此而减小.同时由于溅射原子按余弦分布,随靶基距(即极板间距)的增大,衬底接收 原子的几率下降,所以沉积速率下降.实验结果如图2所示. 2.2膜厚均匀性 当极板间距减小时,沉积速率增大,但同时薄膜的均匀性将变差.对实际的溅射镀膜装置, 必须寻找出最佳的极板间距.磁控溅射镀膜存在靶刻蚀区的问题,对靶基距做如下的优化. 第1期宋建全等:极板间距对反应溅射Gec一薄膜的影响' T 量 g ● ￡ 呈 丹 畦 蛙 极板间距/ram 图2极板间距对沉积速率的影响 衬底半径/ram 圉3极板间距对薄膜均匀性的影响 图形平面磁控靶可以近似为若干条同心线形状叠加而成的环形平面源,根据磁场分布或 靶的结构可确定其刻蚀区的内,外半径,z,因此圆形平面磁控溅射镀膜装置的膜厚分布可 表示为.: 2mh20q-A十R)RdR (;一!)J[-I-A-I-+2AR)0.q-Aq-.一2 式中f一村『蕾上距极板中心为A位置的膜厚;m一磁控靶的溅射速率;～靶材密度;^～极 板间距. 当A一0时,即极板中心出的膜厚为 .2mh;一{ 币'丽订罱 比较与￡o,即得出膜厚的相对变化/.针对不同的极板间距,用计算机计算了阳极上的膜厚 分布,结果如图3所示.可见随极板间距的增大,膜厚均匀性得到改善.应根据样品的实际大小 以选择适当的极板间距.实际工艺实验所采用样