毕业论文(设计)-半导体课程设计.doc

课 程 设 计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08电子材料1班 学 号 3108007452 学生姓名____ 123 __ _ 指导教师____ 魏爱香、何玉定_ ___ 2011 年 6 月 广东工业大学课程设计任务书 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pn p型硅双极晶体管，满足T=300K时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,`共发射极电流增益β=50。BVCEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3) 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。 4．根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计 2.晶体管纵向结构设计 3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形） 4．工艺参数设计和工艺操作步骤 5.总结工艺流程和工艺参数 6. 写设计报告 四、课程设计进程安排 序号 设计各阶段内容 地点 起止日期 1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教1-401 2011.6.6 2 学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定 图书馆， 教1-401 2011.6.7 3 设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计 图书馆， 教1-401 2011 .6.8 4. 教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题 教1-407 2011.6.9 5 晶体管工艺参数设计， 实验室 教1-402 2100.6.10- 2011.6.11 6 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图 实验室 教1-402 2011.6.12 2011.6.13 8 教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题 实验室 教1-322 2011.6.14 9 总结设计结果，写设计报告 实验室 教1-322 2011.6.15 10 写课程设计报告 图书馆， 宿室 2011.6.16 11 教师组织验收，提问答辩 实验室 2011.6．17 五、应收集的资料及主要参考文献 1．《半导体器件基础》Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2．《半导体物理与器件》 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年. 3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年. 发出任务书日期： 2011年 6 月 6日 指导教师签名： 计划完成日期： 2011年 6月 17日 基层教学单位责任人签章： 主管院长签章： 目 录 一、课程设计目的与任务 …………………………………………………… 2 二、课程设计时间 …………………………………………………………… 2 三、课程设计的基本内容………………………………………………………2 3.1 微电子器件与工艺课程设计――npn双极型晶体管的设计…………………2 3.2 课程设计的主要内容：……………………………………………………… 2 四、课程设计原理…………………………………………………………………3 五、工艺参数设计…………………………………………………………………3 5.1 晶体管设计的一般步骤：…………………………………………………… 3 5.2 材料参数计算………………………………………………………………… 4 5.2.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………… 4 5.2.2 集电区厚度Wc的选择………………………………………………………8 5.2.3 基区宽度WB………………………………………………………………… 8 5.2.4 晶体管的横向设计………………………………………………………… 11 晶体管横向结构参数的选择……………………………………………11 5.3 工艺参数设计……………