不同溅射方法薄膜制备的理论计算及特性研究-光学工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 Mathematical modeling and experimental study of various sputter deposition and corresponding film properties A Doctor Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Optical Engineering Author: He Yu Advisor: Prof. Yadong Jiang School: School of Optoelectronic Information 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 在常用的薄膜制备方法中，溅射沉积技术是重要的制备技术之一。该技术虽 然应用广泛，但是目前制备出的电子薄膜还存在一些问题需要解决，如薄膜的均 匀性、成分控制、通孔沉积、薄膜缺陷等。无论是薄膜制备的工艺成本还是工艺 参数，都还有很多可以优化的因素。本文从理论模型和实验研究两个方面，提出 和验证了直流磁控溅射、直流反应溅射、高功率脉冲磁控溅射以及离子束溅射四 种溅射工艺中优化薄膜特性的具体方法，进行了一系列的探索性和创新性的工作， 具体包括： 1. 在理论模型方面，建立公自转磁控溅射系统的薄膜沉积模型，分别使用解 析法和数值法两种方法计算基片上各点的沉积时间分布，并得到基片上各点在公- 自转过程中的膜厚分布。最后计算膜厚均匀性的相对偏差，分析讨论公转（?rev） 与自转（?rot）转速比?rev/?rot 对膜厚均匀性的影响。此外，建立了传统自转磁控 溅射系统的薄膜沉积模型。经比较发现，当?rev/?rot 等于 0.6 时，膜厚均值相对偏 差 Gt 可以达到 0.0256；而传统沉积模型所得的膜厚偏差约为 0.1936。实验中使用 最佳公-自转转速比以及传统自转模式分别制备 Ni-Cr 金属薄膜。发现公自转转速 比?rev/?rot 等于 0.6 的时候，相对偏差为 0.0224；纯自转系统薄膜厚度的相对偏差 为 0.1431。通过使用模型中计算的最佳公自转转速比制备薄膜，膜厚均匀性得到 提高。 2. 通用的反应溅射模型仅仅适用于单一组分化合物的情况，本文提出一种针 对多组分化合物薄膜的反应溅射模型，以氧化钒（VOx）为例，考虑了氧化钒薄 膜中同时含有VO和V2O5两种价态化合物的因素。通过修正后的模型推导出溅射 过程中薄膜沉积速率、不同组分含量与气体流量的函数关系，并仿真了反应溅射 的滞回效应曲线。此外，建立时间响应模型，从中获得预溅射和溅射两个过程中 靶电压、靶面各成分含量随时间的变化关系；对比实验中监控的靶电压曲线，实 验与理论计算结果相吻合，由此验证了理论模型。通过模型的计算，可以对反应 溅射氧化钒的工艺参数进行控制，减少反应溅射的滞回效应以及在一定程度上达 到预测薄膜的组分的目的。 3. 针对于高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS），设计了不同的磁场位形，主要包 括闭合与非闭合磁场、不同磁场强度（“200G”，“500G”，“800G”）、不同跑道宽 I 摘要 度(“500G”, “500G_Wide”）、“螺旋”结构等。使用有限元分析软件 COMSOL 对不同磁场位形中的平行磁场强度|?????/??/ |分别进行计算。实验中，采用可调型磁极 板分别搭建了所设计的几种磁场位形。通过三探针法对不同磁场位形进行了等离 子体诊断，得到电子温度 Te，电子密度 ne 以及等离子体悬浮电位 Vf 随时间、空 间的变化曲线。使用栅网式离子分析仪对沉积薄膜的金属离化率进行了测量。研 究表明，不同磁场位形直接影响了薄膜离化