微电子学概论第二章节基本器件技术.pdf

Introduction to Microelectronics 第二章 基本器件技术 §2.1 硅基MOS器件技术 §2.2 双极晶体管技术 §2.3 功率电子器件技术 §2.4 GaAs器件技术 §2.5 SiGe器件技术 §2.6 宽带隙半导体技术 §2.7 量子器件技术 第二章基本器件技术 半导体器件技术的不断创新与发展有力地推动了电子信息技术的一次有一次飞跃。 1895年5月7 日，无线电创始人波波夫进行了人类第一次无线电信号收发表演， 他采用的检波器是用一根金属触丝和一块天然矿石晶体做成的晶体检波器。这就 是第一个固体电子器件。 1922年前苏联学者洛谢夫发现了晶体检波器的负电阻现象，从而制成了振荡器 和再生式收音机。 1926年至1930年用氧化亚铜制出了固体整流器，并投入了批量生产。第二次世 界大战之后界大战之后，，人们研究清楚了检波器内的物理过程人们研究清楚了检波器内的物理过程，，性能优良的锗性能优良的锗、、硅检波二极硅检波二极 管代替了真空二极管。 提出了年提出了pn结理论结理论，当年当年1212月点接触型锗三极管发明月点接触型锗三极管发明，在电子科学领域诱在电子科学领域诱 发了一场技术革命。在深入探索研究后提出了npn和pnp 两种半导体三极管的放大 作用理论，并在理论指导下研制出了面结型晶体管。 第二章基本器件技术 1950年采用切克斯基炉拉出锗单晶，不久又拉出硅单晶。 人们第年人们第一次用合金法制成面结型晶体管次用合金法制成面结型晶体管提出了结型场效应晶体年提出了结型场效应晶体 管理论，1953年提出了面势垒型晶体管，1955年利用扩散技术研制出扩散深度可 控的薄基区晶体管，使晶体管的截止频率从几百千赫兹提高到几百兆赫兹，此后 微合金扩散管、台面型晶体管等新型器件不断问世。 制造出开关速度达年制造出开关速度达22 ns 的隧道二极管的隧道二极管第年第一支支400400 MHMHz 、输出输出5W5W 硅微波功率管问世之后，大大地推动了微波通信和雷达小型化固体化的变革。 1966年出现了第一支以肖特基为栅极的GaAs MESFET，GaAs 电子迁移率和工作 频率比硅高5倍，使器件工作频率从C波段进入到Ku波段。 1974年富士通公司做出了10 GHz、0.7W，最高振荡频率为50 GHz的GaAs微波功 率场效应管率场效应管，，1980年又采用调制掺杂超晶格技术研制出第年又采用调制掺杂超晶格技术研制出第一只高电子迁移率晶体管只高电子迁移率晶体管 （HEMT ）。 第二章基本器件技术 为克服GaAs材料热导率低、镜片易碎、成本昂贵、难于制作大直径单晶等缺点， 新材料SiGe合金应运而生。采用SiGe/Si外延技术制作SiGe/Si HBT、 SiGe HEMT、 SiGSiGe MODMOSFETMODMOSFET。SiGSiGe器件的工作频率可达器件的工作频率可达KKu波段波段。 以硅和砷化镓为基础材料的半导体器件因其禁带宽度所限只能在200 ℃以下。 为适应国防、武器装备的需求，以SiC、GaN为代表的一批高温半导体器件不断涌 现，它们可以工作在500 ℃高温，可靠性、抗辐射、高功率方面有独到之处。 半导体器件朝着两大方向开展，其一是更高的工作频段，其二是更大的功率容 量。电力电子器件从20世纪50年代的SCR发展到GTO、功率MOSFET 、IGBT等。 在传统的半导体器件研究基础上，近十年来在微电子技术领域又出现了许多新型 器件器件，如如MEMSMEMS 、纳米电子器件纳米电子器件、超导电子