图案形貌镓铟氧化物的湿化学法合成机理研究201长沙理工大学.DOCVIP

湖南省大学生研究性学习和创新性实验计划 项 目 结 题 报 告 项目名称：图案形貌镓、铟氧化物的湿化学法合成机理研究 项目编号： 3110102-1203009 学生姓名： 林祖伟 所在学校和院系：长沙理工大学物理与电子科学学院 项目实施时间： 2010年 4月 指导教师: 陈曙光 联系电话: 填表日期： 湖 南 省 教 育 厅 2012年制 一、基本情况 项目名称 图案形貌镓、铟氧化物的湿化学法合成机理研究 立项时间 2010年4月 完成时间 2012年4月 项 目 主 要 研 究 人 员 序号 姓 名 学号 专业班级 所在院（系） 项目中的 分 工 1 林祖伟 200839110128 无机0801 物电学院 负责总体方案设计 2 汪亮 200839110119 无机0801 物电学院 生长机理分析 3 胡善 200839110118 无机0801 物电学院 粉体合成 4 刘世兴 200839110111 无机0801 物电学院 粉体合成 5 黄小光 200839110121 无机0801 物电学院 粉体表征 二、研究成果简介 2.1项目研究的目的、意义 20世纪80年代中期以来，纳米科学与技术成为了一个新兴热点领域。在纳米尺度下，材料将展现出新的性能并随着纳米材料的尺寸和形状发生改变；从纳米科技应用角度而言，基于纳米材料的尺寸和形状控制来调控材料的性能被认为是一个令人激发性的挑战。因此纳米材料合成作为其重要研究分支得到了长足发展，其中纳米材料和纳米结构具有可控的生长，形状及尺寸是纳米材料与纳米结构研究中的基本问题之一。国内外有关专家对液相法合成纳米结构的生长行为和相关机理研究较多，主要集中在金属氧化物及硫化物（如ZnO及ZnS），已经成功合成了ZnO、ZnS纳米棒及其阵列、纳米管、复杂结构纳米球等多种形式的纳米结构，并提出了软（硬）模板辅助、聚集生长、自组装以及基片诱导阵列生长等多种生长机理。然而，合适的工艺参数对纳米结构的控制合成起着关键作用，如果不总结液相法制备过程中的生长规律及纳米尺度下物质和能量的输运规律和理论模型，晶体的生长将具有很大的偶然性和盲目性，因此利用生长规律和理论模型来预测最优合成工艺条件以及实现特定纳米结构的可控生长具有重要的理论价值和实际指导意义。 金属元素羟基氧化物（MO-OH）以及氢氧化物（Mx(OH)y）作为液相法合成的另一大类物质体系，具有两方面的应用前景：一是氢氧化物、处于亚稳态的羟基氧化物具有较高的化学活性，因而可广泛应用于催化剂、吸附载体、发光材料以及电化学材料中；二是可以作为形貌遗传载体，进而拓宽半导体氧化物的应用领域。 虽然国内外研究人员已经成功合成了少数过渡族元素羟基氧化物及氢氧化物一维纳米结构，但是利用生长规律和理论模型来预测最优合成工艺条件几乎没有涉足。此外，氢氧化物以及羟基氧化物在向氧化物演化中由于脱水过程的进行会导致形貌以及微结构的破坏，还需对脱水过程进行必要的控制来实现形貌的继承。因此，液相法合成金属元素羟基氧化物以及氢氧化物是一个很有前景的研究方向，对立方晶系以及四方晶系晶体的液相法控制合成具有很重要的借鉴价值。 2.2 研究成果的主要内容、重要观点或对策建议 1、羟基氧化嫁(GaOOH) 棒状粉体的合成 羟基氧化嫁(GaOOH)粉体为棒状形貌，当样品放在玻璃片上衍射时粉体倾向于长度方向平行于玻璃片的表面，根据衍射结果可以看出(110)面衍射峰强度最高而其余的晶面衍射强度均被抑制，特别是与（110）面夹角较大的晶面强度降低比例更大，说明棒状粉体沿平行于(110)晶面的等效晶面生长。在反应中，氨水作为沉淀剂，GaOOH的形成机理可以通过(1) 和(2)方程式来解释： NH3·H2O → NH4++OH- (1) Ga3++3OH- → GaOOH+H2O (2) 根据GaOOH晶体的生长，Avivi等人和Zhang YC等提出了两种生长机理，界面生长和固液生长机制。我们认为，GaOOH菱形截面棒状和交叉菱形棒状的形成取决于GaOOH的本身固有的晶体结构，生长过程可以解释如下： (1)棒状GaOOH的形成分成两个过程。首先是纳米颗粒的形成，接着为晶核沿着[001]方向自组装形成棒状。 (2)晶格常数b