电泳法制备石墨烯冷阴极及其场发射特性研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘 要 电泳法制备石墨烯冷阴极技术是当前最热门的冷阴极制备技术之一。石墨烯 拥有良好的导电性、高的电子迁移率、高的长径比，是制备冷阴极的理想电子发 射材料。电泳法以其低成本、装置简单、沉积厚度可控、适合大规模制备等优点 在冷阴极制备技术上拥有很大的优势。研究电泳法制备石墨烯冷阴极的制备技术 有利于石墨烯冷阴极在真空电子器件，特别是场发射平面显示器上的推广与应用。 论文研究电泳法制备石墨烯冷阴极的场发射特性主要集中在降低阴极开启场 和阈值场，提高阴极稳定性和寿命方面，使其能更好地应用在电子真空器件，特 别是场发射平面显示器件中。为此，论文紧密围绕以下两方面展开： 一方面，从电泳参数出发，通过对电泳参数对制备石墨烯的场发射特性影响 的理论研究，结合实验，分析研究怎样在不同条件下利用电泳法制备出具有好的 场发射特性的石墨烯冷阴极的方法。并重点关注不同的常用电泳硝酸盐对制备的 石墨烯冷阴极场发射性能的影响。研究表明：利用 Mg(NO3)2·6H2O 制备的冷阴极 的开启场为 3.3 V/μm，阈值场为 6.3 V/μm，表现出最佳的场发射特性。解释这种 现象的原因是因为在阴极石墨烯表面出现了石墨烯-氧化镁异质结，在外加电场极 化过程中产生了场的增强，从而拥有更好的场发射特性。 另一方面，从石墨烯场致电子发射的机理出发，通过表面改性来改善电泳法 制备石墨烯冷阴极的场发射特性。利用射频磁控溅射氧化镁纳米颗粒于石墨烯阴 极表面来提高其场发射性能。在利用 Zn(NO3)2·6H2O 条件下，最佳时间为 20s。场 发射特性测试表明：溅射氧化镁颗粒使石墨烯的开启场从 6.3 V/μm 降低到 3.8 V/μm，阈值场从 9 V/μm 降低到 6.5V/μm，场增强因子从 1123 提高到了 2386。解 释这种现象的原因是因为拥有低的电子亲和势的氧化镁纳米颗粒降低了材料表面 的功函数，同时增加了石墨烯表面电子发射体的数量，从而提高了场增强因子。 场发射稳定性测试表明，溅射氧化镁纳米颗粒同时也提高了阴极场发射电流的稳 定性和阴极寿命。由于场致发射与气体残留会使石墨烯场平面显示器中真空度下 降，该方法对稳定该条件下的石墨烯冷阴极的场发射特性具有重要的作用。 本论文的研究成果有利于石墨烯冷阴极更好地应用于电子真空器件，特别是 场发射平面显示器件中。 关键词：石墨烯，电泳，场发射，射频磁控溅射，氧化镁 AB ABSTRACT I II ABSTRACT The technology of graphene cold cathode preparation by electrophoretic deposition is one of the most popular cold cathode preparation technologies currently. Graphene, with good electronic conductivity, high mobility, high aspect ratio and other advantages, is the ideal material for cold cathode electron emission. Electrophoretic deposition method with the advantages like low cost, making device simple, controllable deposition thickness, suitable for large-scale preparation has huge advantages in cold cathode preparation technology. Study on the electrophoretic deposition technique for the preparation of graphene cold cathode in favor of the application for graphene cold cathode in vacuum electronic devices, especially for field emission display. This thesis research graphene cold cathode preparation by electrophoretic deposition method mainly focus on the aspects of lowering the turn-on field and threshold field and improving the field emissio