浙江传媒学院第五章上课版本.pptxVIP

HHOR7100A经济型小壳光接收机家用双向光接收机输出判决器光电变换前置放大主放大器均衡滤波时钟恢复AGC电路前端线性通道性能指标:接收灵敏度 误码率或信噪比对信号进行高增益放大与整形，提高信噪比，减少误码率。抑制码间干扰光信号探测器时钟提取与数据再生（CDR）入射光半导体5.1 光检测器光电转换器件，光接收机的首要部件当前的光检测器主要是半导体光检测器 以光电二极管应用最广泛。常用的有PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）要求: 高效率、响应速度快，线性好及频带宽低噪声、器件本身对信号的影响小。体积小、寿命长、高可靠、工作电压低等。R—光电检测器的响应度（A/W）5.1 光检测器工作原理----受激吸收。 加反向偏压，形成耗尽区。 □在半导体材料上，当入射光子能量h?超过带隙能量Eg时，产生电子--空穴对。 □在外加电压建立的电场的作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移。 □电子到达N区，空穴到达P区，被外电路吸收，形成光生电流。其光生电流大小Ip与入射光功率Pin成比例：光电二极管光检测器的原理5.1.1 PN光电二极管(1)工作原理：入射光从P侧进入，在耗尽区光吸收产生的电子－空穴对在内建电场作用下分别向左右两侧运动，产生光电流。响应时间：由光功率输入转化为光电流输出，有一定时间迟后，其值主要决定于载流子通过耗尽区的渡越时间。W为耗尽层宽度，v为载流子漂移速度。5.1.1 PN光电二极管(1)带宽受限的主要因素:产生的光电流中存在扩散分量，它与耗尽区外的光吸收有关。载流子作扩散运动的时延将使检测器输出电流脉冲后沿的托尾加长，影响光电二极管的响应速度。扩散分量的存在导致光电二极管瞬态响应失真考虑漂移和扩散运动时PN光电二极管对矩形脉冲的响应解决方法：减小P,N区厚度，增加耗尽区的宽度，使大部分入射光功率在耗尽区吸收，减少P,N区吸收的光能--PINPIN光电二极管结构：在PN结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料，以增大耗尽区宽度w，达到减小扩散运动的影响，提高响应度的要求。由于PN结中间插入的半导体材料近似为本征半导体(Intrinsic)，因此这种结构称为PIN光电二极管。I区高阻抗,电压基本都落在I区PIN光电二极管及反偏时各层的场分布PIN光电二极管双异质结结构：N区和P区：InP（磷化铟），对?920nm的光透明；I区: InGaAs； ?=1300~1600nm强烈吸收InGaAs（铟砷化镓），电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度. 广泛用于探测器! InGaAs PIN 光电二极管的结构PIN光电二极管每个在能级之间跃迁的电子只吸收一个光子产生光电流需满足条件： hf ≥ Eg 因?=c/f 即: ?≤ ? C=hc/Eg Eg使用电子伏特（ev）, ?为微米（?m） 截止波长：Si:?c=1.06 ?m Ge,InGaAs: ?c=1.6 ?m 响应波长: Si: 0.5-1.0 ?m Ge, InGaAs: 1.1-1.6 ?m吸收外电场加速入射光-------一对电子-空穴对(一次光生电流)--------------与晶格碰撞电离---------多对电子-空穴对(二次光生电流）增加了一个附加层，倍增区或增益区，以实现碰撞电离产生二次电子－空穴对。耗尽层仍为I层，起产生一次电子－空穴对的作用。雪崩光电二极管PIN:1个光子最多产生一对电子-空穴对,无增益APD:利用电离碰撞, 1个光子产生多对电子-空穴对,有增益工作过程：产生的电子－空穴对的个数入射的光子数 5.2光电二极管特性1.量子效率入射光功率Pin中含有大量光子，能转换为光电流的光子数和入射总光子数之比称为量子效率.Ip: 光生电流Pin：入射光功率在光电二极管的应用中，100个光子会产生30到95个电子－空穴对，因此检测器的量子效率范围为30%~95%。为了得到较高的量子效率，必须加大耗尽区的厚度，使得可以吸收大部分的光子。但是，耗尽区越厚，光生载流子漂移渡越(across)反向偏置结的时间就越长。由于载流子的漂移时间又决定了光电二极管的响应速度，所以必须在响应速度和量子效率之间采取折衷。 5.2光电二极管特性2.响应速度可用响应时间来表征。取决于渡越耗尽层时间3.响应度R: 响应度 e 为电子电荷，其值为1.6×10-19 C。(a) 响应度与波长的关系G20oC40oC60oC10010V1APD倍增系数倍增系数 APD 的温度特性IG--平均输出电流， IP--一次光生电流倍增系数G与电离系数及