第7章固体成像器件-王珊课件.ppt

7.1 电荷耦合器件;为了区别于真空成像器件,将CCD称为固体成像器件。固体成像器件不需要在真空玻璃壳内用靶来完成光学图像的转换,再用电子束按顺序进行扫描获得视频信号;与真空成像器件不同,固体成像器件本身就能完成光学图像转换、信息存储和按顺序输出(称自扫描)视频信号的全过程。;高锟——光纤之父 ;固体成像器件有两大类: ——电荷耦合器件(Charge Coupled Device),简称CCD; ——自扫描光电二极管列阵(Self Scanned Photodiod Array),简称SSPD,又称MOS图像传感器。 如图所示为 线阵CCD器 件的实物 外观。;固体成像器件与真空摄像器件相比,有以下优点: ①体积小,重量轻,功耗低;耐冲击,可靠性高,寿命长; ②无像元烧伤、扭曲,不受电磁场干扰; ③SSPD的光谱响应范围从0.25~1.1μm,对近红外线也敏感,CCD也可做成红外敏感型; ④像元尺寸精度优于1μm,分辨率高; ⑤可进行非接触位移测量; ⑥基本不保留残像(真空摄像管有15%~20%的残像)。 ⑦视频信号与微机接口容易。 ;一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。;CCD;CCD;基本名词：;基本名词：;电荷耦合的原理;7.1.3 电荷耦合器件的组成及其工作原理;电注入：当给输入栅施加适当的电压，在其下面半导体表面形成一个耗尽层。如果这时在紧靠输入栅的第一个转移栅上施以更高的电压，则在它下面便形成一个更深的耗尽层。这个耗尽层就相当于一个“通道”，受输入信号调制的电荷包就会从输入二极管经过“通道”流人第一个转移栅下的势阱中，完成输入过程。也可将信号加在栅上，通过信号调制控制栅下通道进行注入。 ;光注入： ;2、信号转移部分;3、输出部分 输出部分由输出二极管、输出栅和输出耦合电路组成，作用是把CCD最后一个转移栅下势阱中的信号电荷引出。 ;7.1.4 电荷转移沟道类型 CD电荷转移沟道有两种基本类型: 一种是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输,这类器件称为表面沟道电荷耦合器件(简称SCCD); 另一种是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内,并在半导体内沿一定方向传输,这类器件称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件(简称BCCD)。;表面沟道与体内沟道的转移结构和性能差别如下： (1)SCCD比BCCD的信号处理能力大； (2)BCCD比SCCD提高了一个数量级以上的工作频率; (3)BCCD大大提高了CCD的转移效率； (4)对于二相BCCD,电荷存储在厚栅电极下,薄栅是转移栅;而在SCCD中,电荷存储在薄栅电极下,厚栅是转移栅。 (5) SCCD是少子器件，而BCCD是多子器件。;CCD的结构与工作原理;7.2 电荷耦合器件的分类 ;2048 × 2048 面阵CCD;7.2.1 线阵CCD ;7.2.2 面阵CCD;成像区 ; 暂存区 ; 暂存区 ; 暂存区 ; 暂存区 ; 暂存区 ; 暂存区 ; 暂存区 ;工作过程： ;7.3 CCD摄像机分类;7.3.1 可见光CCD;彩色CCD;微光CCD; 　目前,微光CCD摄像器件共有两种类型,即 ——增强型CCD(ICCD)，包括两种工作模式: * 像增强器与CCD芯片耦合模式； * 电子轰击(E-BCCD )工作模式。 ——时间延迟积分型CCD( TDICCD) * TDICCD工作模式。 微光CCD摄像机最大的不足就是不能全天候工作，在阴雨、浓雾等条件下应用受限制。 ;焦平面红外阵列(IRCCD);X射线CCD;7.4 CCD的性能参数;电荷转移效率和转移损失率;显然 ;光谱响应率和干涉效应; 正面照射时,由于CCD的正面布置着很多电极,光线被电极多次反射和散射,一方面使响应率减低,另一方面多次反射产生的干涉效应使光谱响应曲线出现起伏,如上图中曲线1所示。 为了减小在短波方向多晶硅的吸收, 用SnO2薄膜代替多晶硅薄膜做电极,可以 减小起伏幅度。;分辨率和调制传递函数; 若用调制传递函数(MTF)来评价CCD的图像传递特性,则CCD的总MTF取决于器件结构(像元宽度、间距)所决定的几何MTF1、载流子横向扩散衰减决定的MTFD和转移效率决定的MTFT。 总MTF是这三者的乘积,并且总MTF 随空间频率的提高而下降。 ;动态范围;暗电流和噪声;1．散粒噪声 在CCD中,无论是光注入、电注入还是热产生的信号电荷包的电子数总有一定的不确定性,