Si多层膜应力的实验研究.PDFVIP

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2018-10-06 发布于湖北
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Si多层膜应力的实验研究.PDF

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第卷第期光学仪器，３７４Ｖｏｌ．３７Ｎｏ．４　　　　年月，２０１５８Ａｕｕｓｔ２０１５ＯＰＴＩＣＡＬＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳｇ文章编号：（）１００５５６３０２０１５０４０３６７０４　　共溅射制备／多层膜应力的实验研究ＷＳｉＳｉ狓１－狓１１１２冀斌，张一志，朱京涛，吴文娟　（同济大学物理科学与工程学院，上海；上海应用技术学院理学院）１．２０００９２２．２０１４１８　　摘要：采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为的／多层膜，使用实时应力测量２７．５ｎｍＷＳｉ装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力，采用、共溅射技术制备膜层替ＷＳｉＷＳｉ狓１－狓换膜层，制备出／多层膜，与／多层膜的应力特性进行了比较研究。结果表ＷＷＳｉＳｉＷＳｉ狓１－狓明，／多层膜为较大的压应力，测量值为，／周期多层膜为较小的压ＷＳｉ－４７６．８６ＭＰａＷＳｉＳｉ狓１－狓应力，测量值为。因此采用共溅射制备代替可以显著改善多层膜的应－１０２．８４ＭＰａＷＳｉＷ狓１－狓力特性。关键词：应力；多层膜；共溅射；磁控溅射；射线Ｘ中图分类号：文献标志码：：／Ｏ４８４．１Ａ犱狅犻１０．３９６９．ｉｓｓｎ．１００５５６３０．２０１５．０４．０１８　　