第五章磁电梁.pptxVIP

5.1 磁电感应式传感器 ;5.1.1 磁电感应式传感器工作原理 根据电磁感应定律， 当导体在稳恒均匀磁场中，沿垂直磁场方向运动时，导体内产生的感应电势为 ; 当一个W匝线圈相对静止地处于随时间变化的磁场中时，设穿过线圈的磁通为φ，则线圈内的感应电势e与磁通变化率dφ/dt有如下关系： ;图5-1 恒定磁通式磁电传感器结构原理图 （a） 动圈式； (b) 动铁式 ;(5-3) ;图5-2 变磁通式磁电传感器结构图 (a) 开磁路； (b) 闭磁路 ;5.1.2 磁电感应式传感器基本特性 当测量电路接入磁电传感器电路时，如图7-3所示，磁电传感器的输出电流Io为 ;而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为 ;5.1.3 磁电感应式传感器的测量电路 ;5.1.4 磁电感应式传感器的应用 1. 动圈式振动速度传感器 ;图7-7 磁电式扭矩传感器工作原理图;5.2.1 霍耳效应;;其中：; 若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线夹角为θ时， 霍耳电势应为： ; 5.2.2 霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的， 如图7-10（a）所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四根引线： 1、 1′两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）； 2、 2′引线为霍尔输出引线， 称霍尔电极。 霍尔元件的壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装的。 在电路中， 霍尔元件一般可用两种符号表示， 如图7-10（b）所示。 ;图7-10 霍尔元件 （a） 外形结构示意图； （b） 图形符号 ; 5.2.3. 霍尔元件基本特性 (1) 额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。 ; (2） 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时所确定的。 ; (3） 不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零， 则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势，如图7-11所示。 产生这一现象的原因有：  ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；  ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；  ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 ;图7-11 不等位电势示意图 ;不等位电势也可用不等位电阻表示， 即 ; (4） 寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。 其产生的原因有：  ① 激励电极与霍尔电极接触不良， 形成非欧姆接触， 造成整流效果；  ② 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同， 散热状态不同而形成极间温差电势。  寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。 ; (5） 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。它同时也是霍尔系数的温度系数。 ; 5.2.4 霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势， 而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效为一个电桥， 用分析电桥平衡来补偿不等位电势。 ; 图7-12为霍尔元件的等效电路，其中A、 B为霍尔电极，C、 D为激励电极，电极分布电阻分别用r1、r2、r3、r4表示，把它们看作电桥的四个桥臂。理想情况下，电极A、B处于同一等位面上， r1= r2= r3= r4 ，电桥平衡，不等位电势U0为0。实际上，由于A、 B电极不在同一等位面上，此四个电阻阻值不相等，电桥不平衡，不等位电势不等于零。此时可根据A、 B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电