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500kVCVT不拆高压引线测量tanδ方法探讨和应用
500kVCVT不拆高压引线测量tanδ方法探讨和应用
【摘 要】本文分析了500kV变电站的CVT介质损耗因数tanδ的测量原理,用实例阐述了不拆线测量tanδ的方法,探讨了不拆线对线路侧CVT测试的影响。
【关键词】CVT;不拆线;tanδ
0.引言
电容式电压互感器(CVT)是电力系统中一种新型的电压抽取装置,采用的是电容分压器的基本原理。但是单纯的电容分压器的测量准确度受二次负载的影响很大,为了保证二次的测量准确度,采用了中间加一级电磁式电压互感器(PT)的方法,也就是电压不是一次降到位,一般先降到13~25kV,然后再用一个电磁式PT降到所需的电压。为了保证在50Hz时电压测量的准确度,从二次侧向高压侧看过去,电源回路的阻抗应接近零,这就需要使得电磁式中间PT的电感与电容分压器的电容在50Hz下处在抵消的状态。与传统的电磁式PT相比,CVT具有电场强度裕度大、绝缘可靠性高、经济性好等??点,其电容部分还可兼作载波通讯中的耦合电容器使用。由于从高压侧看,它等值于一个电容,从根本上消除了与开关断口电容形成铁磁谐振的可能性。
500kV设备器身高,高压引线粗,每次预试拆除引线须用升降车,工作量大,耗时长,对一次设备的安全构成一定的威胁。在保证预试准确性的前提下,不拆线预试的问题值得探讨。下面就500kV上寨变电站500kV电容式电压互感器(CVT)的介损和电容量的不拆线测量方法进行分析。
1. CVT不拆线测量tanδ的原理方法
1.1CVT的组成结构
CVT的结构如图1所示,图中C11、C12、C13为耦合电容器;C2为分压电容;X1-X3,Y1-Y3为二次绕组;P为保护间隙;L为补偿电抗器。CVT由三节耦合电容和两节分压电容组成,两节分压电容为一体。其最下节在出厂时和电磁单元连为一体。
1.2CVT的tanδ测量原理
CVT的膜纸复合绝缘电容器tanδ一般约为0.1%,故采用测量精度比QS1电桥更高一等级的电桥进行测试。测量CVT的可分为中间端子D点可接地与D点不可接地两种。实际测量中就是采用正接线或反接线对CVT的电容C11、C12、C13、C2进行介质损耗因数tanδ测量。
一般而言,tanδ测量的正接线适用于两极对地绝缘的被试设备,要求被试设备的两极都是绝缘的;反接线适用于现场被试设备一极接地的情况,被试设备一极接高压,另一极接地,被试设备高压电极及引线对地的杂散电容恰恰与被试设备电容并联,这样会产生较大的测量误差,实际测量中常用屏蔽法减少测量误差。
1.3不拆线测量CVTtanδ的方法
按安装位置不同,CVT可分为线路CVT、变压器出口CVT等,而上寨站的500kV的CVT都是线路CVT,采用不拆线预试方法使工作效果更好,效率更高。
由于线路CVT不经隔离开关而直接与线路相连,所以CVT上节不可采用正接线测量,否则试验电压将随线路送出,这是不允许的。实践表明,在感应电压不十分强烈的情况下,采用反接屏蔽法能取得满意的结果。
河源地区使用的的500kVCVT按C2测量方式的不同大体上可分为两种,即中间端子D点可接地与D点不可接地两种。D点可接地的CVT可使C11与C2之间的D处接地,从而用反接线对C11、C2进行分别测量。D点不可接地的CVT就不能在C11与C2之间的D处接地,因此在现场不能分别测量C11和C2,只能把两者视为一个整体进行测量。
2.实例与分析
500kV上寨站的500kV嘉上甲乙线CVT是桂林电力电容器有限公司的产品,型号为TYD4500/√3-0.005H。我们于2012年04月份对这组CVT进行了预防性试验。
2.1测量仪器
日常预防性试验中,我们常用的介损测试仪参数如下(见表4):
2.2测量接线方式
2.2.1C13的测量
线路CVT由于不经隔离开关直接与线路相连,且线路预试时直接接地,故CVT上节只能用反接屏蔽法进行测量。
测量C13介质损耗因数时,测量线(即高压输出线)接在C13末端,由于C13首端与C2末端同时接地,对于测试点来讲,C13与C12、C11、C2的串联值是并联的关系。为了避免C12、C11、C2对C13的测量结果造成影响,实际测量中将测试仪的屏蔽线接于C12的末端,这样C12两端电位基本相等,C12无电流通过,C11、C2中的电流直接由电源通过屏蔽线提供,不流经测试电桥本体,这样就不会对测量C13的介质损耗因数造成影响。具体接线如图2所示。
2.2.2C12的测量
C12的介质损耗因数用正接线进行测量,接线方式如下:试验仪器的高压输出线接于C12的首端F处,正接信号线接C12的末端B处。
2.2.3C11的测量
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