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CZ法单晶等径生长模糊控制系统的设计 　　（西安航空职业技术学院，西安 710048） 　　摘要： 针对单晶等径生长过程中主要是对系统的温度和晶体测径环节的控制，介绍了一种基于模糊控制与PID算法的CZ法单晶等径生长控制系统。详细阐述系统的组成，重点介绍系统采用双闭环串级控制。最后通过仿真测试，结果表明，该系统具有对现场温度、单晶直径等参数的合理控制和调节功能，能够有效地改善系统控制性能。 　　关键词： 直拉法（CZ法）；等径生长；模糊PID ；仿真 　　0引言 　　CZ法即直拉法，是目前制备晶体人们普遍采用的一种方法。由于单晶等径生长控制的关键是单晶棒，所以当忽略一些干扰因素时，单晶等径生长主要受到温度和单晶生长速度影响。系统若处于恒温状态下时，只通过单晶生长速度控制单晶直径，单晶外形能够保证，但晶体生长速度的变化就会影响单晶微观质量。反之，系统处于恒速状态下时，如果只通过温度调节来控制单晶直径，此时系统就变为一个缓慢时变、带有随机扰动的非最小相位系统，系统很难实现自动控径。本文介绍一种将模糊控制和PID控制算法相结合，采用串级双闭环回路，实现对晶体生长过程的温度与单晶直径的控制，其系统简单、可靠，易于控制。 　　1控制系统方案及构成 　　1.1 控制系统方案模糊控制是通过模仿人的思维方式和控制经验来实现控制的一种新的控制方法。它不依赖于控制对象的数学模型，通过对模糊信息的处理可以对复杂的控制对象实施良好的控制，而且模糊控制具有良好的鲁棒性，即当对象的参数或结构有一定程度变化时仍然可以保持较好的控制性，它最适合用于非线性系统或当输入及操作描述存在着不确定性关系的系统。而PID控制是目前应用最为广泛的控制规律，根据偏差的比例（P）、积分（I）、微分控制（D）进行控制。在实际运用和理论上分析都表明，运用这种控制规律对许多工业过程进行控制时，都能得到满意的效果。 　　由于CZ法单晶等径生长系统中影响晶体等径生长的因素较多，例如：坩埚的温度、提拉速度等，这些因素之间的关系是模糊的、不确定的，若单纯采用模糊控制，实验证明在线辨识结果不一定有效；若采用PID控制，实验得出不仅控温精度低，而且系统自适应能力较差。为了达到较高的精度，必须将模糊控制与PID控制算法相结合，综合二者优点，系统选用模糊PID控制器。 　　1.2 基本构成本文论述CZ法单晶等径生长模糊控制系统由直径调节器、温度调节器以及称重测径系统三部分组成，系统结构图如图1所示。其中直径调节器是系统的控制核心，它可按用户需求直接设定单晶直径，并通过人机界面进行现场监视，方便用户操作；温度调节器又称控温仪，采用欧陆818P温度控制器，该控制器内部为一智能的PID调节，与热电偶配合使用进行测温，测得的数据通过A/D转换单元转换为数字量，并利用系统软件对其进行处理，同时输出控制指令和数显指令，完成整个测控系统的中央处理功能；称重测径系统具有独立数据采集功能，采用简单模糊控制器，利用单片机结合现场采集的直径数据与用户设定的直径比较，产生偏差按照模糊PID控制算法计算出实时控制量即输出量，再以此控制量通过D/A转换电路改变输出驱动信号调节晶体的提拉速度与埚升速度，使单晶直径逐步达到用户设定的直径值。 　　 　　 　　 　　 　　 　　2控制系统设计 　　2.1 控制回路组成CZ法单晶等径生长控制系统中采用双闭环串级控制系统结构。如图2所示。系统设计为双闭环回路中主控制回路由直径调节器、副控制回路、晶体、测径单元组成；副控制回路由温度调节器、加热器、单晶炉、测温单元组成。其中把单晶直径作为主被控对象，单晶炉温度作为副被控对象；直径调节器作为主调节器，温度调节器作为副调节器。 　　2.2 控温回路CZ法单晶等径生长过程主要考虑因素之一是温度控制，基本原理是由所测温度与设定温度校正曲线的温度比较产生偏差信号作为模糊PID控制器的输入，根据不同时刻的采样点得到的偏差或偏差变化作为输入变量，对系统被控对象参数K，T，?子，进行在线整定，输出值可改变单晶炉温度达到控径的目的，同时也限制了单晶提拉速度的引起大范围波动与变化，用来补偿由于单晶长度生长变化而引起单晶炉中固、液体交界面热稳态发生的变化。 　　在系统设计过程中将副控制回路设计成一个控温系统，此时输入就作为直径调节器的输出，而输出的单晶炉温度将对主被控对象单晶直径产生直接作用。如图3所示。在副控制回路中，对于单晶炉的温度结构参数易变不易确定，通过纯理论计算过程较为复杂，但采用仿真实验方法进行测试就显得比较方便。实验时把单位阶跃电压信号即给定信号作为单晶炉的输入，相当于单晶炉温度突然变化的情况，通过仿真软件测出单晶炉输出温度变化的过渡曲线。 　　3软件设计 　　本系统逻辑控制软件主要由单片机选用Intel