低电压高增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器的设计.docVIP

低电压高增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器的设计 　　摘要：本文基于SIMC 0.18μm CMOS工艺模型参数，设计了一种低电压高单位增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器。该电路具有相对高的单位增益带宽，并具有开关电容共模反馈电路（CMFB）稳定性好、对运放频率特性影响小的优点，Hspice仿真结果表明，在1.8V电压下，运算放大器的直流开环增益为62.1dB，单位增益带宽达到920 MHz。 　　关键词：折叠共源共栅；运算放大器；开关电容共模反馈；CMOS工艺 　　中图分类号：TN432 　　 　　Design of Low-Voltage and High Unity-Gain Bandwidth CMOS Folded Cascode Operational Amplifier 　　 　　ZHANG Lei， WANG Zhi-gong， MENG Qiao 　　（Institute of RF- OE-ICs and RF ICSystem Researching Center of the MOE; 　　Southeast University; Nanjing China; 210096） 　　 　　Abstract：A low-voltage and a high unity-gain bandwidth CMOS folded-cascode operational amplifier is designed．It is designed in SIMC 0.18μm CMOS process with 1.8 V power supply and uses switched-capacitor CMFB circuits to obtain the high unity-gain bandwidth．The frequency response shows that the DC open-loop gain is 62.1dB and the unity-gain bandwidth is 919 MHz. 　　Key words： operational amplifier；switched-capacitor CMFB；CMOS process 　　 　　1运放结构分析和选择 　　 　　目前常见的几种放大器结构包括两级运算放大器、套筒式共源共栅放大器以及折叠共源共栅运放等。两级运放的输出摆幅在各种放大器结构中是最大的，然而其主要缺点是频率特性差。在电路偏置给定的情况下，它的次主极点完全由负载电容决定，这使得其带宽变小，速度受到限制。 　　套筒式运放的优点是，在各种放大器结构中功耗最低、频率特性好、速度高和带宽大。由于它的次主极点是由M3和M4的跨导gm3决定的，值约为gm3 /CL1，其中CL1是M3或M4源极节点的寄生电容，其值较小，所以这种结构的带宽更大、速度更高。此外由于这种结构只有两条电流支路，因此在所有结构中功耗最低。该电路的缺点是信号的共模输入范围和输出摆幅太小。为了保证电路正常工作，所有管子都必须工作在饱和区。在这种情况下，它的输出摆幅为2VDD -10Vds,sat-6Vmargin，其中Vmargin是为防止工艺偏差造成管子进入线性区而设定的电压安全裕度。该结构的共模输入范围是VT +Vds,sat Vincom Vb 2，其中VT是M9的阈值电压，Vincom是共模输入电压。在低电源电压下，这种结构的输出摆幅和共模输入范围很难达到要求。 　　 同样，折叠共源共栅运放具有套筒式运放带宽大和速度高的特点。因为它的次主极点也是由内部有源负载管的跨导和内部节点的寄生电容决定，所以它的频率特性和套筒结构相近。然而它的输出摆幅为2VDD -8Vds,sat-4Vmargin，共模输入范围是VT +Vds,sat Vincom VDD，两者都远大于套筒结构。不过由于它有4条电流支路，所以它的功耗要大于套筒结构[1]。 　　根据本次的设计的要求，运算放大器需要有60dB以上的增益、500MHz以上的增益带宽、7.812ns以下的建立时间，因此本课题选用折叠共源共栅放大器结构的运算放大器。采用SMIC公司的0.18μmCMOS工艺进行仿真，Hspice仿真结果表明该运算放大器在增益、单位增益带宽等方面能达到性能要求。 　　 　　2 折叠式共源共栅运算放大器的 　　具体电路设计与性能分析 　　 　　共源共栅结构的设计思路是将输入电压转化成电流，然后将他作为共源共栅级的输入，共源共栅级电流的变化再转化为输出电压的变化。 　　 2.1 运算放大器电路结构 　　图3所示为带共模反馈的折叠共源共栅运算放大器。由于NMOS管可以实现比PMOS管更