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三相桥式半控整流电路 2.工作原理 1. 电路 动画 u2a 2? ? u2b u2c t1 t2 u o T T1 RL uo D3 T2 T3 D2 D1 io c b a u + + – – /sundae_meng 19.2.2 晶闸管的保护 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 /sundae_meng 1. 晶闸管的过流保护 (1) 快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 ~ 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 /sundae_meng (2) 过流继电器保护 (3) 过流截止保护 在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 /sundae_meng 2. 硒堆保护 2. 晶闸管的过压保护 (1) 阻容保护 C R 利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压 的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电 阻中消耗掉。 R C R C 硒堆保护 (硒整流片) C R ~ R L 晶闸管元件 的阻容保护 /sundae_meng 19.2.3 单结晶体管触发电路 1. 单结晶体管结构及工作原理 (1)结构 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 接触电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 B2 E B1 /sundae_meng (2) 工作原理 ? UE ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ? ? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 B2 B1 UBB E UE + _ + _ RP + _ + _ 等效电路 RB1 RB2 A UBB E UE + _ RP + _ + _ B2 B1 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 /sundae_meng (3)单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结管导通的最小 电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结管由截止变导通 所需发射极电压。 Ip IV o IE UE UP 峰点电压 UV 谷点电压 V 负阻区 截止区 饱和区 负阻区：UEUP后， 大量空穴注入基区， 致使IE增加、UE反 而下降，出现负阻。 P /sundae_meng 1. UE UP时单结管截止； UE UP时单结管导通， UE UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 B2 E B1 2.单结晶体管的峰点电压UP与 外加固定电压UBB及分压比? 有关，外加电压UBB或分压比?不同，则峰点电 压UP不同。 3. 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都 不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用 ?稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。 /sundae_meng /sundae_meng 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第19章 电力电子技术 19.1 电力电子器件 20.2 可控整流电路 19.3 逆变电路 19.4 交流调压电路 19.5 直流斩波电路 /sundae_meng （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 优点： 19.1.2