硅晶圆上窄节距互连铜凸点.PDF

( ) / 清华大学学报 自然科学版 年 第 卷 第 期 ISSN1000-0054 2014 54 1 1221 / 　 ( ), , , CN11-2223N 　JTsinhuaUniv SciTechnol 2014 Vol.54 No.1 78-83 g 硅晶圆上窄节距互连铜凸点 , 1 12 1 1 1 刘子玉 , 蔡 坚 , 王 谦 , 程熙云 , 石璐璐 　 　 　 　 　 　 ( , ; ( ), ) 1.清华大学 微电子学研究所 北京 100084 2.清华大学信息科学与技术国家重点实验室 筹 北京 100084 : , 摘 要 为了满足 日益减小的互连节距需求 该文研究了晶 ( 　 三维互连的片间互连主要包括固液扩散键合 如 。 圆上窄节距铜凸点的成型技术 铜凸点成型主要包括溅射 )、 ( ) 铜锡铜键合 热压键合 如铜铜键合 和低温氧化 凸点下金属化层( , )、厚胶光 underbum metallization UBM p 物 直 接 键 合 互 连 (directbondin interconnect, g 、 、 、 。 、 、 、 刻 电镀 去胶 刻蚀 UBM 等 通过研究甩胶 前烘 曝光 [ ] 14 ) 。这些互连技术关键是金属凸点的制备, DBI 、 , 显影 后烘等技术参数 优化了正性光刻胶 AZ4620的厚胶 、 、 铜凸点因其电阻率低 抗电迁移性能好 可靠性高 , 。 , 光刻工艺 并通过理论分析验证了其合理性 同时 进行了 , 以及能实现小节距等优势 广泛应用于各种键合 , 湿法腐蚀和干法刻蚀 UBM 的对比实验 得到了用于超窄节