二元交替掺杂钛酸锶钡薄膜生长行为研究-电子科学与技术专业论文.docxVIP

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 近几十年里，各种薄膜材料层出不穷，钛酸锶钡薄膜(BST)作为其中重要的一 支，已取得重大研究成果。本论文采用改进溶胶-凝胶 (Sol-Gel) 法制备 BST 薄膜。 Sol-Gel 法可用来制备大面积薄膜，其速度快、成本低、精度高、成分易控制。同 时，在溶胶中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可防止薄膜出现开裂等问题，有效改善薄 膜结构和介电性能。生长过程在很大程度上决定薄膜的结构和性质，因此，生长 研究对薄膜材料而言，是最为基本和最为重要的部分，目前，对交替掺杂薄膜的 生长行为和方式研究还很少涉及。本论文首先建立薄膜理论生长模型，然后通过 XRD 和 AFM 等测试手段，验证薄膜实际生长行为与理论模型之间的异同，最后 对薄膜逐层进行介电性能分析，探讨薄膜生长模式与介电性能之间存在的基本联 系。主要内容有： 1. 建立薄膜生长模型。以现有理论和经验为依据，建立 Mg/K、K/Mg、Mg/Mg、 K/K 和 BST/BST 五类薄膜理论生长模型。模型主要从厚度和浓度变化入手，模拟 薄膜生长行为和方式，分析各类型薄膜综合性能的优劣。 2. 薄膜实际生长行为。本论文以 1%浓度为主体，5%浓度进行优化对比，薄 膜厚度为八层，利用 XRD 和 AFM 进行表面形貌测试。研究表明，随厚度增加， K/Mg 交替(110)衍射峰和表面形貌均呈现波浪状交替变化，表面粗糙度减小；Mg/K 交替(110)衍射峰向高角度移动，表面粗糙度增大；K 和 Mg 单掺(110)衍射峰向小 角度移动，晶粒尺寸和粗糙度增大；纯 BST 薄膜(110)衍射峰向高角度移动，表面 形貌较差。 3. 薄膜生长行为的验证与优化。Mg/K 交替厚度较小时，具有较高的介电调谐 率，随厚度增加，介电调谐率和介电损耗均有所下降；K/Mg 交替厚度较小时，调 谐率较低，随厚度增加，调谐率呈现波浪状交替变化规律，与 XRD 和 AFM 测试 相一致，八层时表现最优的综合介电性能；K 单掺具有较高的调谐率和损耗，其 综合介电性能一般；Mg 单掺具有较好的综合介电性能；与纯 BST 薄膜相比，单 掺和交替掺杂薄膜具有更好的综合介电性能。通过生长与介电性能的研究可知： 薄膜生长方式与介电性能息息相关，K/Mg 与 Mg/Mg 生长模式具有相似性，薄膜 层间互溶性较好，晶粒细小生长均匀，整体具有较好的综合介电性能；Mg/K 与 K/K 生长模式具有相似性，两类型薄膜层间互溶性较差，晶粒生长粗大无序，其 I 综合介电性能较差。 关键词：钛酸锶钡； 微波调谐器件； 二元交替掺杂； 生长动力学； 介电 性能； II ABSTRACT Diversified kinds of film materials have come forth in recent decades. As one of the most important parts of film materials, barium strontium titanate (BST) has been studied and great achievements have been made. The improved sol-gel method is adopted for preparing BST films in this thesis. The technique has advantages of small roughness, high speed, easy to control composition precision and is suitable for manufacture films with large area. In addition, cracking can be avoided and dielectric properties can b