二氧化铪中氧空位性质的第一性原理研究-电子科学与技术专业论文.docxVIP

上海交通大学 学位论文版权使用授权书 全部或 等复制手 保密口 学 文属于 r 不保密 c 上 二氧化铪中氧空位性质的第一性原理研究 摘 要 阻变存储器（RRAM），由于具有功耗低，读写速度快，可擦写次 数多等优点，成为下一代不挥发存储技术的重要候选者。二氧化铪 (HfO2)是半导体产业中一种重要的二元过渡金属氧化物材料，也是 RRAM 器件的重要阻变材料。 本文主要利用材料工作室中的 Castep 模块，利用第一性原理计算 研究了 HfO2 中氧空位性质，预测了其对 RRAM 性能的影响。单晶 HfO2 有单斜(m-)，立方(c-)，四方(t-)三种晶相，我们计算了完整与含 有中性氧空位这两种条件下各晶相 HfO2 的能带结构与态密度，发现 三种晶相的 HfO2 中，氧空位的引入会在禁带中产生陷阱能级，电子 能够在这些陷阱能级之间跃迁。当大量氧空位聚集时，这些陷阱能级 便提供了一条电子的通道，使得 HfO2 成为低阻态。计算了氧空位的 形成能，发现 c-，t-HfO2 两种晶相中，氧空位的形成能分别为 7.56eV 和 6.37eV，要远低于 m-HfO2(三配位空位 12.34eV，四配位空位为 12.24eV)，这意味着基于这两种晶相的器件的 electroforming 过程更容 易完成。计算了三种晶相 HfO2 中氧空位的跃迁势垒，发现 c-，t-HfO2 I 两种晶相中，氧空位的跃迁势垒分别为 1.20eV，0.93eV 和 1.35eV （t-HfO2 中有两种跃迁路径），要明显低于 m-HfO2（2.53eV，2.76eV 和 3.98eV，对应于三种跃迁路径），这意味着氧空位在 c-，t-HfO2 中 迁移更为容易，相应的电阻转变过程也会更快，但是数据保持能力则 要弱于 m-HfO2。 我们还研究了 Y 掺杂对各晶相 HfO2 氧空位性质的影响，发现 Y 掺杂后，氧空位所产生的缺陷能级会向导带底靠近，在 Y 掺杂 c-HfO2 中，缺陷能级已经与导带底相连，这意味着低阻态时材料将表现出类 似金属的导电机制。此外，在三种晶相的 HfO2 中，Y 掺杂都会极大 的降低氧空位的形成能和跃迁势垒。同时 Y 掺杂能够使 HfO2 更倾向 于氧空位形成能和跃迁势垒较低的 c-，t-两相，因此其对 RRAM 器件 性能的影响是双重的。 关键词：第一性原理，二氧化铪，氧空位，阻变存储器 II PRINCIPLE STUDIES ON PROPERTIES OF OXYGEN VACANCY OF HfO2 IN DIFFERENT PHASES ABSTRACT RRAM, as its low power, fast operation high endurance and some other advantages, has become one of the most important candidates of next generation non-volatile memory. HfO2 is not only an important binary transition metal oxides material in semiconductor industry, but also used as resistive switching material of RRAM. In this thesis, the first principle calculations were performed on these three phases HfO2 with CASTEP code in Material Studio to study the oxygen vacancy’s behaviors in HfO2, and predict their influence to RRAM. Mono-crystalline HfO2 has three phases: monoclinic(c-), cubic(c-), and tetragonal(t-). We have calculated the band structure and DOS of both pure and VO-contained HfO2 in different phases. In all these three phases, the VO will induce trap states in forbidden band, and electron can hop between the trap states. When a great deal of VO concentrated, these tr