二次离子质谱仪的杂质污染分析在半导体失效分析中的应用-集成电路工程专业论文.docxVIP

集成电路是将各种电路器件集成于半导体表面而形成的电路。集成电路由于 其“轻、薄、短、小”的特点，已经成为现代电子产品的心脏。当今的集成电路 制程越来越精细，杂质污染成为了造成集成电路产品非正常失效的主要原因之一 。有些杂质污染，比如薄膜的表面玷污，界面污染和半导体掺杂的污染，采用常 规的光学分析手段，或者电子显微镜的观察和测量是难以被发现，必须通过微观 的元素分析才能清楚的了解其成分，浓度和分布，而二次离子质谱法就是现在最 主要的方法。 二次离子质谱仪利用离子束轰击样品激发二次离子并收集计算各种二次离 子的数量，得到样品中的元素分布和总体剂量。本课题使用 CAMECA IMS-6F 以及 ATOMIKA 4500 二次离子质谱仪研究二次离子质谱仪的主要分析条件，如 一次离子源种类、一次离子束能量和束流密度、入射角度、二次离子收集种类和 质量分析器分辨率等，对分析结果的探测极限，横向分辨率，溅射速率等的影响。 并结合各种杂质污染的特点，对分析条件进行优化。实验发现选择合适的一次离 子种类，较大的入射束能量和束流可以提高溅射速率、降低探测极限；较小的束 流可以降低离子束的直径，虽然降低了溅射速率但是可以提高横向分辨率，并对 探测极限影响不大；适当增大入射角度可以大幅提高溅射速率；选择合适的二次 离子种类可以降低探测极限；而一味的提高分辨率却会使二次离子信号强度减 弱，反而降低探测极限影响分析效果。 最后结合三个实例，一是分析 BF2 离子注入中带入的金属钼（Mo）污染； 二是分析介质层中掺杂的硼、磷元素扩散进入有源区的分布；三是对硅晶圆中砷 的自掺杂效应的分析，探讨了 SIMS 的杂质污染分析在半导体产品失效分析上的 应用，显示了 SIMS 既可以分析离子注入中带入的杂质元素，也可以分析热制程 扩散中分布异常的掺杂元素，对建立实效产品的失效模型，判断失效机理和预防 再发方面有广泛的应用。 关键字：二次离子质谱；杂质污染；分析条件；失效分析 Integrated circuit (IC) is the circuit which integrates all kinds of circuit devices onto the surface of semiconductor. IC has became the heart of the modern electronic production due to its character of “light, thin, short, small”. The impurity contamination has became the main root cause of unnatural failure of IC production because the modern IC process has became more and more refined. Some kinds of impurity contamination, such as surface contamination on thin film, interface contamination and contamination in doping, can not be detected and measured by the routine optical and electron microscope. Micro-elementary analysis must be performed to realize their composition, concentration and distribution. And Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) is the leading technology of this application. Secondary Ion Mass Spectroscopy uses the ion beam to impact the sample and excitated secondary ions, which will be collected and counted to calculate the elementary distribution and dosage in solid sample. This project uses CAMECA IMS-6f and ATOMIKA 4500 SIMS to research the main parameters, such as species of primary ion source, energy and beam current of pri