二氧化钒纳米线的制备与M相研究-材料学专业论文.docxVIP

Classified Index: TB34 U.D.C: 53 Dissertation for the Master Degree in Engineering VANADIUM DIOXIDE NANOWIRES FABRICATION AND RESEARCH ON M PHASE Candidate： Wang Chengqian Supervisor： Associate Prof. Liu Xiangli Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Science Affiliation： Shenzhen Graduate School Date of Defence： December, 2012 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 二氧化钒（VO2）是一种优异的相变材料，它在 68℃的时候发生从半导体 相到金属相的转变，并伴随着电阻率 4-5 个数量级的突变，利用这一特性可以 实现很多应用。此外，由于在发生相变时二氧化钒会出现很多 M-R 畴结构，而 一维的二氧化钒纳米线的尺寸恰好与这种畴结构的大小近似，因此研究一维的 二氧化钒纳米线可以很好的研究其相变表现出来的性能。 二氧化钒的结构众多，其中的 M 相包含了 M1 和 M2 两种结构，一直以来 大家都认为如果没有外界对二氧化钒的微扰作用，在室温下二氧化钒将呈现 M 相中的 M1 结构，M2 的出现是由于外界的微扰作用引起的，像微量的掺杂。但 是，最近有人发现二氧化钒纳米线中 W 的掺杂并不能引起 M2 结构，在常温下 还是呈现 M1 结构。那么低价元素的掺杂会怎么样，是否会出现 M2 结构。基 于这一点本文进行了一系列实验来验证掺杂低价元素 Al、Cr 的二氧化钒纳米线 在室温下是否为 M2 结构。 因此，本文就着重于掺杂和未掺杂二氧化钒纳米线的制备，并验证掺杂低 价元素（Al、Cr）后的二氧化钒纳米线在常温下是否呈现 M2 结构。实验中用 CVD 方法制备未掺杂的二氧化钒纳米线，实验表明最优的实验条件为：基底选 用未抛光的石英片，反应物用石英舟盛放，舟内反应源与基底的距离不大于 5mm；反应源用五氧化二钒，反应温度为 850℃；管腔内保持 2000Pa 的真空， 并同时通 30sccm 的氩气作为载流气体，最后自然降至室温。 掺杂 Al、Cr 的二氧化钒纳米线是通过水热的方法得到的，水热的最佳生长 条件如下，原料选用五氧化二钒、草酸、三氧化铬（三氧化铝）和纯度为 18.2M Ω?cm 的超纯水；反应釜内衬选用 PPL 材质，加热速率为 2.5℃/min，在 250℃ 下保温 150h；容量 25ml 的反应釜盛装 17ml 的前驱体溶液，反应前要在 60℃的 条件下搅拌均匀。 最后通过 DSC 和拉曼验证分析了掺杂和未掺杂的二氧化钒在室温下的相 变温度和结构，实验结果表明未掺杂的二氧化钒纳米线的相变温度在 68℃附近， 而掺杂 Al、Cr 的二氧化钒纳米线相变温度升高，掺杂 Cr 的纳米线升高的幅度 更大，相变温度到达 91.5℃；拉曼的实验结果表明未掺杂的二氧化钒纳米线在 室温下为 M1 结构，最显著的峰在 614 cm-1 处，而掺杂 Al、Cr 的二氧化钒纳米 线在室温下呈现 M2 结构，最显著的峰在 650cm-1 附近。 关键词：二氧化钒；气相沉积；水热合成；M1 和 M2；纳米线 Abstract Vanadium dioxide (VO2) is one of the most interesting materials due to its phase transition at a temperature slightly above room temperature (Tc=343K). The first-order metal-insulator transition (MIT) is from the low-temperature, insulating, monoclinic phase to the high-temperature, metallic, tetragonal phase. The transition features drastic changes in the lattice structure, electrical conductivity, and optical reflectivity, especially the 4-5 order of magnitude abruptly chang