方波激励磁通门接口ASIC设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

Classified Index: TN432 U.D.C: 621.3.049.774 Dissertation for the Master Degree in Engineering DESIGN OF INTERFACE ASIC STIMULATED BY SQUARE-WAVE FOR FLUXGATE Candidate： Qiu Dong Supervisor： Prof. Xiaowei Liu Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Microelectronics and Solid-State Electronics Affiliation： School of Astronautics Date of Defence： June, 2009 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 磁通门作为测量弱磁场的主要传感器，广泛应用于航天、军事等领域。传统 的磁通门传感器接口电路多使用分立元件，限制了磁通门传感器在某些领域的应 用，本课题利用 CMOS 模拟集成电路技术，研究磁通门传感器接口电路单芯片集 成的实现，对磁通门传感器的发展具有重要的意义。 本文在分析磁通门双芯探头工作原理的基础上，针对正弦激励磁通门接口电 路的激励工作频带、相敏解调精度、集成度不高等不足之处，基于二次谐波选择 法，设计了以方波为激励方式的集成磁通门接口电路。设计的方波激励磁通门接 口电路，包括激励电路和检测电路两个部分，激励电路部分采用环形振荡电路和 分频电路保证激励信号和相敏解调的基准信号的准确度。检测部分包括了前置放 大电路部分，滤波电路部分，相敏解调电路部分，其中，前置放大电路部分采用 低噪声放大器以提高磁通门信号的信噪比，滤波电路部分采用二阶带通滤波方式 以滤除噪声信号的干扰，相敏解调电路部分采用双运放结构以降低对偏置电压源 的电荷注入，从而提高了系统的性能。 方波激励磁通门接口电路的版图设计属于数模混合集成电路版图设计的范 畴，本文详细分析了版图设计中的一些非理想效应和耦合效应，并采取了具体的 解决方案和优化措施，按照设计规则和工艺参数实现版图设计。 本设计基于 0.5μm n 阱 2p2m 工艺 MOS 模型进行仿真。芯片仿真结果表明， 在 5V 供电电压下，本文研制的磁通门传感器磁场测量范围为±80μT，灵敏度为 18μV/nT，电路功耗为 11.235mW，输出范围为 2.88V，接口电路芯片面积仅为 2.3mm×2.6mm。 关键词：磁通门；方波激励；接口电路；版图设计 Abstract In recent years, fluxgate sensors have been deployed in various applications, such as spaceflight activation and guided munitions. The classical fluxgate is normally composed of discrete devices that limit its development. In this thesis, the interface circuit of the fluxgate, using CMOS process, is designed and fabricated. According to the principle of the fluxgate sensor and the second harmonic method, a new circuit with square wave as the signal of demodulation is designed, in order to solve the limitations of the interface circuit of the fluxgate, such as working bandwidth of the stimulation, accuracy of the phase demodulation and density of the integration. The interface circuit includes two parts: the demodulation circuit and detection circuit. Ring oscillation circuit and frequency dived circuit are used in the stimulation