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激光材料打造高水平的应用产业链 　　上世纪60年代第一台红宝石晶体激光器问世，激光诞生；70年代掺钕钇铝石榴石问世，固体激光开始大力发展；80年代钛宝石晶体问世，使超短、超快和超强激光成为可能，飞秒激光科学技术蓬勃发展、并渗透到各基础和应用学科领域；90年代矾酸钇晶体问世，固体激光的发展由此进入新时期--全固态激光科学技术…… 　　进入新世纪，激光和激光科学技术，正以其强大的生命力推动着光电子技术和产业的发展。当前，激光材料的组成和结构发生了深刻的变化，已由传统的块体材料单晶和玻璃，衍生出具有微结构的陶瓷和光纤，推动着激光技术新一轮的迅猛发展。与此同时，高平均功率、高光束质量的固体激光器的发展，引入了新型的激光工作物质构型和泵浦方式，对传统激光晶体的尺寸提出了更高的要求，反过来推动着晶体生长技术持续发展。 　　目前，美国、德国、英国和日本在晶体、玻璃、光纤和陶瓷激光方面，总体上领先于世界各国。我国在科研、先进制造业、能源、医疗、国防等众多领域亦将拥有规模巨大的激光及其元器件的应用市场需求（目前，国际传统激光器市场是100亿美元/年，未来新应用领域市场潜力将达10000亿美元/年）。 　　鉴于全固态激光器（DPL）具有体积小、重量轻、效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、光束质量高等优点，市场需求十分巨大。全固态激光技术是目前我国在国际上拥有整体优势的高技术领域之一，具备了在部分领域加速发展的良好基础。依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》和863计划新材料领域“十一五”科技发展规划，“十一五”期间我国将全固态激光器及其应用技术作为重点项目，以全固态激光器件与材料研究为先导，面向激光先进制造技术、激光显示技术和激光医疗的需求，开拓全固态激光器及其应用技术的产业应用，促进材料与器件研究优势延伸到激光器应用优势和产业优势，在我国造就一个高水平的全固态激光器产业及其应用产业链。 　　 　　30 Gb/s高速率并行光 　　发射模块研制 　　项目简介：30 Gb/s的高速率并行光发射模块主要应用于短距离（300米内）的高速数据传输，并以其高速率、低成本的特点成为最具性价比方案。模块的光源采用波长为850nm的1×12垂直腔面发射激光器阵列，单信道传输速率在2.5Gb/s以上，总数据传输速率可达30 Gb/s。在本成果的研究过程中，主要解决了如下的技术难点：VCSEL集成列阵与深亚微米CMOS高速专用集成电路的兼容性和多芯片组装集成技术；VCSEL列阵与微光学组件光耦合技术；深亚微米CMOS高速激光器列阵专用集成电路设计与制备；30 Gb/s高速率12信道并行光发射模块高频封装结构设计与测试。 　　 　　项目负责：中国科学院半导体研究所。 　　意义：本成果在器件集成方面有很强的综合性，要求各单元部件的高度兼容性，在功能组合、集成技术等方面具有很强的创新性，并具有目标产品开发和关键技术突破。现已在此基础上申请国家发明专利4项，正积极筹备技术转让及小批量生产。 　　 　　GaN半导体光电材料的规模化 　　关键生产技术检测设备 　　项目简介：该成果的光致发光采用400nm半导体激光器，比国外采用的气体激光器，具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、主波长等参数，电致发光的检测方法是国际首创，其检测结果在提供光参数同时也提供电参数，并且可以测量单只LED，直接与外延片进行比较。利用白光反射谱测量外延片膜厚，也获得了满意效果。所有参数以mapping形式显示，同时显示各个参数的统计结果，并且根据生产单位要求，增加了去孤立点、去边、局部扫描、单点测量等独有功能。 　　项目负责：清华大学。 　　意义：GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备，作为生产、销售的主要依据，因为其无损检测的速度快，成本低，结果直观，可以在外延片出炉后马上检测，成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该设备是国内唯一，价格是进口设备的五分之一左右。为企业降低了生产成本。 　　 　　2.5Gb/s混合集成光发射机与 　　接收机芯片及模块关键技术 　　项目简介：该项目研究2.5Gb/s速率系统，但设计的激光器带宽已达到10GHz，可以运用至更高速率级别10Gb/s速率的系统中；采用0.18μm CMOS工艺设计完成了10Gb/s套片的大部分单功能芯片（只少前置），为10Gb/s系统芯片的高性价比研制奠定了基础。完成了高速PIN探测器芯片的制造，已能小批量生产用于2.5Gb/s速率的接收机中；采用特征频率fT只有13GHz的0.35μm CMOS工艺完成了2.5Gb/s速率套片的设计，包括各单功能芯片，组合功能