缎邵一象-硬件和射频工程师.PDF

一，， 真空与低温 第13卷第 8期 vacuum ＆ Cryogenics 1994~9月 一 缎 邵 一．： 象 SAM ．，E 微波GaAs功率场效应晶体管烧毁 机理的研究：I．直流烧毁 刊 3醛 l 查至垂 苎圭塑 ． (兰州物理研 究竹 ) Investigation ofburnoutmechanism in microwaveGaAspowerFETs： Part I．D．C．burnout YuanZeliang Fan Chuizhen (Lanzhouinsk；~uteoFPhysics) AbsLract M ic1Owaye GaA 。P0Wer FET ChiP fabrcated by us Which aPpear D ·C ·burnout during the testing re iavestjgated bY means of 5CBnn— j g electfon mjcTOSC0PY (SEM ) and AugeT miCTOPf0be (SAM )，the physics Procedure and mechartiSm of D．C．buTnouLareanalYzed． Keywords D．C．burnout． microwa e GaAs powef FET (field effect transistor)， scanningAugerm icrGPTObe(SAM )r scanningelectTon m icroscopy (SEM )，high— fie1d domain ava1anc】】e． 摘要：用扫描电镜 (SEM )币1扫描俄歇微探 { (SAM )对国内研 一发的微 波GaAs功室 FET芯片在测试 中的直流烧毁进行 了势析研究 九rIi流挠墨机理硬物理过舞。 关冀调 i直流烧毁、擞 波GaAs功率场效应管、扫描俄戢微探针，扫描电镜、岛场畴雪崩。 GaAs金属一半导体场效应管 (MESFET)具有放太、振荡、变频 、开关相移 衰减 等多种功能 ，工作频率高达4OGHz。在很大领域上取代了笨重的行波管放大器 (TwTA)， 成为微波器件 的主流 广泛应用于通讯卫星、 带微波通讯，雷达、电子对抗等空间、军事 领域。器件的热稳定性，可靠性对这些领域至关重要 。 微波GaAs功率FET-~作在 大电流高电压区，：苎=片功耗较太 栅 长为亚微米级，有源层 厚度小于栅长 ，一般为几十纳米。有源沟遭的电阻比以往的GaAs器件小得多，则源漏欧姆 结和栅 肖特基结与有源层 的质量一样重要，直接影响其 电性能和可靠性． 国外从7O年代起开始对GaAs信号FET、低噪声FET的可靠性进行了广泛的研究，积 19。4年3月181日收蓟，作者的邮政编码730。。0 袁泽亮等 微波GaAs功率场效应 品体管 理 的研究： I．直流烧毁 129 累了大量实验数措 。借助袭J及近表面分析仪器干¨技术来提供较