集成电路基础知识培训讲义.ppt

2、集成电路成品的测试 人工测试 机器测试 Thank You! IC Base Training 主讲：罗慧丽 集成电路基础知识 一、集成电路的基本概念及分类 第一节 集成电路的基本概念知识 1、什么是集成电路？ 我们通常所说的“芯片”指集成电路, 那什么是集成电路呢？ 所谓集成电路就是把一个单元电路或一些功能电路，甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片上，再封装在一个便于安装、焊接的外壳中的电路上。集成电路有膜（薄膜、厚膜）、半导体集成电路及混合集成电路。半导体集成电路是利用半导体工艺将一些晶体管、电阻器、电容器以及连线等制作在很小的半导体材料或绝缘基片上，形成一个完整电路，封装在特制的外壳中，从壳内向壳外接出引线，半导体集成电路常用IC表示。 集成电路的英文是：Integrated Circuit 简称为IC 通用集成电路General IC 例如单片机、存储器等，通用都可以理解为一般常用的。 专用集成电路Application Specific Integrated Circuit 简称为ASIC ASIC是专门为了某一种或几种特定功能而设计的，它也是相对于通用集成电路而言的，除通用的一些集成电路外，都可称为专用集成电路。 2、集成电路的分类 ASIC可以分为全定制（Full Custom）半定制（Semi-Custom） “全定制(Full-Custom)”是一种基于晶体管级的ASIC设计方式，包括在晶体管的版图尺寸、位置及布局布线等技术细节上的精心设计，最后将设计结果交由厂家去进行掩模制造，制造成芯片。这种设计方法的优点是芯片可以获得最优的性能，即面积利用率高、速度快、功耗低，而缺点是开发周期长，费用高，只适合大批量产品开发。 半定制(Semi-Custom)”是一种约束性ASIC设计方式。半定制ASIC通常是包含门阵列(Gata Array)和标准单元(Standard Cell)设计法，这两种方法都是约束性的设计方法，其主要目的就是简化设计，牺牲芯片性能为代价来缩短开发时间。 3、ASIC的分类 电路设计 版图设计 集成电路芯片的显微照片 集成电路制造流程 1、掩膜版加工 2、晶圆加工 3、中测（切割、减薄、挑粒） 4、封装或绑定 5、成测 前工序 后工序 集成电路制造流程 掩膜版加工 在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。 现代光刻依靠的一种类似于放大照片底片的投影印刷。图是简化的曝光过程。透镜系统校准一个强UV光源，称为光罩的金属盘子会挡住光线。UV光穿过光罩中透明的部分和另外的透镜在wafer上形成图像。 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；它多指单晶圆片，由普通的硅沙提炼而成，是最常用的半导体材料。它的常用直径尺寸分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格的，晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。 在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片 这就是“晶圆”，英文为“Wafer”  晶圆的介绍 1、光刻：IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 2、线宽:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。 3、前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。  名词解释  中测（硅片的测试） 中测（Wafer test）是半导体后道封装测试的第一站。 中测有很多个名称，比如针测、晶圆测试、CP（Circuit Probing）、Wafer Sort、Wafer Probing等等。 中测的目