半导体发光材料导论.pptxVIP

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半导体发光材料导论

半导体发光材料;;应用领域:;半导体材料的发展历程;半导体发光;光致发光:价带中基态的电子吸收入射的光子的能量后,跃迁到导带中,成为不稳定的激发态之后与价带中的空穴通过各种过程进行复合而发光。 电致发光:本征式和注入式;半导体发光;直接带结构半导体;直接跃迁的的半导体材料;间接带结构半导体;半导体发光二极管;半导体激光器;半导体发光材料的研究现状;荧光量子点;荧光量子点; Bi掺杂ZnO纳米线的制备;;;ZnO为什么要掺杂Bi?;下图所示Bi掺杂的ZnO纳米颗粒;;影响因素;2.压强;成分分析:;; [1].周遗品, 赵永金, 张延金. Arrhenius公式与活化能. 石河子大学报 (自然科学版), 1995, 4 [2].朱静. 纳米材料和器件. 北京: 清华大学出版社, 2003 [3].张立德, 牟季美. 纳米材料和纳米结构. 北京: 科学出版社, 2001 [4].Wang, Q. Li, Z. Liu, J. Zhang, and Z. Liu, and R. Wang, Appl. Phys.Lett. 2004, 84(5), 4941 [5]. Vidhya Chakrapani,Jyothish Thangala and Mahendra K. Sunkara. WO3 and W2N nanowire arrays for photoelectrochemical. international journalof hydrogen energy ,International Journal of Hydrogen Energy, 2009, 34(3): 9050 – 9059 [6].Look D C, Reynolds D C, Litton C W, Jones R L, Eason D B and Cantwell G, Appl. Phys. Lett., 2002, 81(15): 1830 [7].Huang M. H., Mao S., Feick H., et al. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers. Science, 2001, 292(5523): 1897-1899; 谢谢!

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