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LED制造基础知识 《半导体制造基础》 1、 5102掩膜的主要应用 a、 在硅晶片上进行热生长的高质量绝缘材料； b、 在杂质扩散或注入时作阻挡层作用； c、 MOS器件和电路的关键部件。 2、 光刻的定义 将掩模上的儿何图形转移到覆盖在半导体晶片表面的对光辐照敏感薄膜彩练（光致抗蚀 剂）上去的工艺过程。 3、 曝光设备的主要性能 a、 分辨率：能够不失真地转移到半导体晶片上的抗蚀剂膜的最小图形尺寸； b、 对准度：后一块掩膜要有多商的精度才能与前一块在晶片上所形成的阁形套准； c、 生产效率：对于给定的光学掩膜每小时能够曝光的晶片数目。 4、 图形转移的步骤 a、 粘性助长剂； b、 晶片固定（真空转盘）； c、 注入（2-3cn?）的液态抗蚀剂； d、 加速旋转 30s，恒定 1000-10000r/m; e、 前烘 90-120°C （时间 60s-120s）; f、 曝光（uv）; g、 显影； h、 后烘（100-180°C）； i、 去抗蚀剂。 5、 刻蚀机制的步骤 a、 在等离子体中生成刻蚀微粒； b、 反映物通过扩散穿越迟滞气体层到达反应表面； c、 反映物吸附在反映表而上； d、 发生化学反应生成可挥发性化合物； e、 生成化合物脱离反应表面扩散进气体中，由真空系统排除。 6、 二次离子质谱（S1MS）法的定义 利用离子束把待分析的材料从半导体表面溅射出来，检出离子组分并进行质量分析。 7、 注入损伤的分类？ 8、离子注入在半导体器件中的应用 a、 多次注入以便形成新的分布； b、 选用掩膜材料及厚度来阻挡给定百分比的入射离子到达衬底； c、 高能离子注入形成埋层； d、 预积淀阈值调节以及SOI应川巾形成绝缘层所要川的大朿流离子注入; 9、 薄膜的分类 a、 热氧化膜； b、 电介质膜； c、 外延膜； d、 多晶态硅膜； e、 金属膜。 10、 化学气相淀积CVD的机理及步骤 a、 反应物输送到衬底区； b、 反应物转换到衬底表面，并被就地吸收： c、 发生化学反应，衬底表面晶化，外延层接着生长； d、 气态生成物被排入主气流屮； e、 把反应物输送出反应腔室。 11、 分子束外延的定义及优缺点 定义：在超真空条件（IC^Toir）下，由一种或者几种加热原子或分子朿与晶体表面进 行反应生长外延层； 优点：精确控制化学配比， 精确控制掺杂分布， 可获得原子层量级的多层单晶结构； 缺点：生长速度慢，不利于大规模生长。 12、 同质外延材料和异质外延材料 同质外延材料：外延层与衬底具有相同的晶格常数的同种半导体材料； 异质外延材料：外延层与衬底具有不同的晶格常数的半导体材料 13、 外延层中的缺陷类型 a、 源于衬底的缺陥； b、 源于界面的缺陷； c、 沉淀物或者位错环； d、 低角度晶界和孪晶； e、 刃型位错。 14、 02淀积的三种方法（化学方程式） 450 °C SiO2+O2 ? SiO2+H2 700 °C Si（OCH5）4 ? SiO2+6H2 900 °C SiCl2H2+2N2O ? SiO2+2N2+2HCl 15、 1000°C致密SiO2的性质 a、 密度 2.2g/cm3； b、 在波长0.6328Mm时，SiO2的的折射率1.46; c、 多孔性； d、 腐蚀速率低。 16、 夹层介质膜的属性及制备时的要求： a、 低介质常数； b、 低残余应力； c、 高平整能力； d、 髙间隙填补能力; e、 低淀积温度； f、 工艺简单； g、 容易集成。 《半导体器件物理》 17、 晶格的定义 晶体的原子按一定规律在空间周期性排列，形成一个个格点。 18、 闪锌矿结构的特点并画示意图 这种结构与金刚石结构类似，区别在于金刚石结构巾一种原子组成，而闪锌矿结构又两 种不同的原子组成，每个原子被四个异族原子所包围。 ? Ga or P ? P o「 ? Ga or P ? P o「Ga 19、 密勒指数的定义 a、 确定某平面在直角坐标系3个轴上的截点，并以晶格常数为单位测量得到相应的截 距； b、 取截距的倒数，然后约简成最简单的整数比； c、 将此结果以“(hkl)”表示，即为此平面的密勒指数； d、 fhkll方向定义为垂直于(hkl)平而的方向。 20、 半导体材料的复杂现象 a、 原子不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置，而是在其附近振动； b、 半导体材料含有若干银质； c、 半导体晶格结构存在着各种形式的缺陷。 21、 半导体杂质的来源 a、 制备半导体的原材料纯度不够高； b、 半导体单晶制备过程中及器件制造过程中的玷污； c、 人为地掺入某种化学元素的原子。 22、 半导体中的缺陷 a、 点缺陷； b、 线缺陷； c、 面缺陷。 23、 费米能级的定义及费米统计