SSD1306驱动芯片OLED屏中文参考手册(译).pdf 17页

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  • 2018-11-21 发布

SSD1306驱动芯片OLED屏中文参考手册(译).pdf

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    北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 中景园OLED屏参考手册 8.1.3章节 MCU 串行接口 (4-线SPI) 4线串行接口包括串行时钟:SCLK,串行数据:SDIN,D/C# ,CS# 。在四线SPI模式下,D0 充当SCLK,D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚,D2应该是打开的。从D3到D7、E和R/W# (WR#)#引脚 可以连接到外部地面。 在每一个SCLK 的上升沿上SDIN按照D7,D6...D0的顺序被转换成一个8位的移位寄存 器。在每第8个时钟上采样D/C# ,在同一个时钟上移位寄存器中的数据字节被写到图形 显示数据RAM (GDDRAM)或命令寄存器中。 在串行模式下,只允许写操作。 8.1.4章节MCU 串行接口 (3-线SPI) 3线串行接口由串行时钟SCLK、串行数据SDIN和CS# 。 在3-线SPI模式下,D0充当SCLK,D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚,D2应该是打开 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 的。从D3到D7、R/W# (WR#)#, E 和 D/C# 的引脚可以连接到外部地面。 当D/C#引脚不被使用时,该操作类似于4线串行接口。总共有9位元将按每九位的顺序 依次移到移位寄存器中:D/C#位 ,D7到D0位。D/C# 位 (顺序数据的第一个位)将决 定移位寄存器中的下列数据字节被写到显示器数据RAM (D/C#位 1 )或命令寄存器 (D/C# bit 0)中。在串行模式下,只允许写操作。 第9章节 命令列表 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 9.1数据读/写 要读取GDDRAM 的数据,选择高的r/w (WR)销和6800-系列并联模式的d/c销,并选择低的 E (RD)销和高的d/c销对8080系列的并联模式。在串行模式操作中没有提供数据读取。 在正常的数据读取模式下,GDDRAM列地址指针将在每次数据读取后自动增加。 另外,在第一个数据读取之前,需要一个虚拟的读取。 要将数据写入GDDRAM,为r/w (WR)引脚选择低,并为两者的d/c销 6800-系列并联模式和8080系列并行模式。串行接口模式总是处于写模式。 GDDRAM列地址指针将在每次数据写入后自动增加。 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 10章节 命令描述 10.1 基本命令 10.1.1页面寻址模式设置较低的列起始地址 (00h 0Fh) 在页面寻址模式下该命令指定八位列起始地址的低半个字节对于显示数据RAM。 每一个数据访问都将增加列地址。请参考表9-1和第 10.1.3节详细说明。 10.1.2为页面寻址模式设置更高的列起始地址 (10h 1Fh) 在页面寻址模式下该命令指定八位列起始地址的高半个字节对于显示数据RAM。每一个数 据访问都将增加列地址。请参考表9-1和第 10.1.3节详细说明。 10.1.3设置内存寻址模式 (20 h) 在SSD1306中有3种不同的内存寻址模式:页面寻址模式、水平寻址模式和垂直寻址模式。 该命令设置了内存寻址进入上述三种模式之一的方式。在这里, “COL”指的是图形显示数 据RAM列。 页面寻址模式(A[1:0] 10 xb) 在页面寻址模式中,在显示RAM读/写之后,列地址指针会自动增加 1。如果列地址指针到 达列末端地址,那么列地址指针被重置为列起始地址,而页面地址指针没有改变。用户必须 设置新的页和列地址以便访问下一页RAM 内容,PAGE 的顺序移动和指向页面寻址模式的 列地址如图10-1所示。 在正常显示数据RAM读或写和页面寻址模式中,需要以下步骤来定义启动RAM访问指针位置: •通过命令B0h到B7h,设置目标显示位置的页起始地址。 •通过命令00h到0Fh设置指针的下起始列地址。 •通过命令10h到1Fh设置指针的上起始列地址。 例如,如果页面地址被设置为B2h,那么下列地址是03h,而上列地址是00h,那么这意味 着起始列是PAGE2 的SEG3。RAM访问指针位于如下所示图10 - 2。输入数据字节将被写入 第3列的RAM位置。 图10-2:在页面寻址模式 (无行和列重映射)的GDDRAM访问指针设置示例 北京万邦易嵌科技有限公司 肖龙 水平的寻址模式(A[1:0] 00b ) 在水平寻址模式下,在显示RAM读/写之后,列地址指针会自动增加 1。如果列地址指针到 达列末端地址,那么列地址指针被重置为列起始地址,而页面地址指针则增加1。页面的顺 序移动和指向水平寻址模式的列

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