(施敏)半导体器件物理(详尽版)课件.ppt

减小界面态的方法除了氢气退火外，还可用金属后退火工艺，在金属后退火温度下活性栅材料（铝）会在氧化层表面与水蒸气反应，释放出氢原子，它会通过二氧化硅层与悬挂键结合，从面减小界面态密度。 界面态能量分布和退火前后界面态密度比较 电离陷阱 固态器件中辐射损伤一直是航空和军事应用上碰到的主要问题。有些损伤会直接导致失效，而更多的可能使器件和系统退化，影响其性能和使用。 辐射损伤的主要过程：首先在氧化层中产生电子-空穴对，其一部分会立刻复合，剩余部分在氧化层中电场作用下分离，电子和空穴沿相反方向加速，由于电子的迁移率比空穴大，电子会迅速离开氧化层（纳秒数量级），而空穴由于跃迁一段时间后到达Si-SiO2界面，它会与来自硅的电子复合或在深能级处被陷住，一旦陷住后，就类似于固定电荷（称之为电离陷阱）。同时，辐射还能增加界面态。 热退火可以很容易地去除如离子注入、电子束蒸发、等离子溅射等工艺过程中的辐射损伤，但制备后的器件中实际恢复是相对有限的，因此更可取的方法是对器件进行“加固”。 例如：栅氧化温度低于1000℃来加固氧化层，使辐射的敏感度降低。铝屏蔽加固可阻止大多数空间带能粒子，并增大MOS场效应管的阈值电压，减弱辐射造成栅电压变化对阈值电压的影响。 7.2 表面势 我们已经对Si-SiO2界面的电荷情况作了详细讨论。再在氧化层上进一步淀积一层金属（通常是铝）就构成所谓MOS结构，它是目前制造器件的基本结构形式。 中间绝缘层（SiO2）将金属板和半导体两个电极隔开。 绝缘体内无任何电荷且完全不导电，金属与半导体功函数差为零，绝缘体与半导体界面不存在任何界面态。 如图，V=0时，其能带情况，图中金属功函数为qφm，半导体功函数为qφS，两者的差为零，qχ为电子亲和力，而qΨF为费米能级与本征费米能级的能级差。 理想状态 试画出理想MOS结构（N型半导体为衬底）平衡时的能带图。 P127 2，3，4，5 空间电荷区 实际MIS结构就可看作一个平行板电容器。我们从上面图中得知，在不加电压情况下，其能带是平的（平带状况），当两端加一定电压后，金属和半导体两个面将被充电，它们所带电荷符号相反，电荷分布也不一样。金属中电荷分布在一个原子层的厚度范围内；而半导体中，由于自由载流子密度要低得多，电荷必定在一定厚度的表面层内分布，这个带电的表面层称空间电荷区。 空间电荷区表面到内部另一端，电场从最大逐渐减弱到零，其各点电势也要发生变化，这样表面相对体内就产生电势差，并伴随能带弯曲，常称空间电荷区两端的电势差为表面势ΨS。 表面势 MIS结构加正向电压时，金属侧积累正电荷，在半导体表面一薄层内便形成了一个负的空间电荷区，同时形成了一个方向指向半导体内部的表面电场。也可以说在半导体表面存在一个电势差，各点的静电势Ψ(x)逐渐下降。到达电中性后，各点静电势保持相等，如图(a)所示。图中体内的电势取为零，ΨS称为表面电势，对于负空间电荷的情况，表面势为正的，E为表面电场。从能带的观点看，表面的能带将发生弯曲。由于电子的电势能为-qΨ(x)，因此能带自半导体内部到表面向下弯曲。图(b)表明负空间电荷区表面能带向下弯曲的情况。此时，表面与体内达到了热平衡，具有共同的费米能级；空间电荷区中的负电荷恰好与金属中的正电荷相等。 MIS结构加反向电压时，金属侧积累负电荷，半导体表面一层便形成正的空间电荷区。此时，表面势ΨS是负的，表面电场由半导体指向外界，表面的能带向上弯曲，如图所示。 表面积累 （对P型半导体而言） 施加一个负电压（V＜0）于金属平板上时，半导体表面将产生超量的正载流子（空穴），表面势为负，表面能带向上弯曲，如图（a）所示。 半导体表面向上弯曲的能带使得Ei-EF的能级差变大，价带顶逐渐移近甚至超过表面费米能级，进而提高空穴浓度，造成表面空穴堆积，此种情况称为表面积累。与之对应电荷分布如右半部分所示，其中，QS为半导体中每单位面积的正电荷量，而Qm为金属中每单位面积的负电荷量，它们的数量是相等的，符号相反。 表面耗尽 施加一个正电压（V＞0）于金属板上时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，如图（b）所示。 这时越接近表面，价带顶离费米能级越远，价带中空穴浓度随之降低。并且，外加正电压越大，能带向下弯曲越深；越接近表面，空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，这种情况称表面耗尽。半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值为qNAW，其