浅谈量子反常霍尔效应及应用前景培训.pptVIP

（二）量子反常霍尔效应（QAHE） 量子反常霍尔效应不同于量子霍尔效应，它不依赖于强磁场而由材料本身的自发磁化产生。在“零磁场”中就可以实现量子霍尔态，更容易应用到人们日常所需的电子器件中。 量子反常霍尔效应的研究取得新进展： 清华大学物理系薛其坤、陈曦和贾金锋等组成的研究团队与中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）研究员马旭村领导的研究组合作，利用分子束外延技术，在硅、碳化硅和蓝宝石等单晶衬底上制备出了原子级平整的高质量三维拓扑绝缘体（Bi2Te3、Bi2Se3和Sb2Te3）薄膜（见图一所示的扫描隧道显微镜照片。照片尺寸：10纳米×10纳米）。原位角分辨光电子能谱测量显示，这些薄膜具有本征的绝缘体特征。三维拓扑绝缘体的量子薄膜的实现为理论预言的量子反常霍尔效应、巨大热电效应、激子凝聚等新奇量子现象的研究提供了基础，是在拓扑绝缘体材料制备方面的一个重要进展。利用这些高质量的薄膜材料，他们发现了拓扑绝缘体特有的背散射缺失现象，从实验上证明了拓扑量子态受时间反演对称性的保护，观察到了这种特殊的“两维电子气”在外磁场下的量子化行为（物理学上简称为“朗道量子化”，如图），证明了它具有无质量狄拉克费米子的特征。 专家对量子反常霍尔效应的解释 陈宇林解释道：“反常霍尔效应是固体中由电子自身的自旋和轨道运动耦合导致的一个输运过程。而在量子反常霍尔绝缘体中，自发磁矩和自旋轨道耦合结合产生了拓扑非平凡电子结构，引起在无外加磁场条件下的量子霍尔效应。因为只有一个自旋通道参与电子导电，使其无损耗的导电比量子自旋霍尔体系更不容易被干扰，这将更有利于应用在低损耗电子和自旋电子学器件中。” 量子反常霍尔效应的示意图 研究什么样的材料？为什么？ 某一类拓扑绝缘体材料。 这类拓扑绝缘体材料有着独特的优点： 首先，这类材料是纯的化学相，非常稳定且容易合成； 第二，这类材料表面态中只有一个狄拉克点存在，是最简单的强拓扑绝缘体，这种简单性为理论模型的研究提供了很好的平台； 第三，也是非常吸引人的一点，该材料的体能隙是非常大的，特别是Bi2Se3，大约是0.3电子伏（等价于3600K），远远超出室温能量尺度，这也意味着有可能实现室温低能耗的自旋电子器件。 量子霍尔效应与量子反常霍尔效应的比较 图：量子霍尔效应（左）与量子化反常霍尔效应（右）的比较示意图 Science 摘要 Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3?to the two-dimensional limit A topological insulator?is a new state of quantum matter that is characterized by a finite energy gap in the bulk and gapless modes flowing along the boundaries that are robust against disorder scattering. The topological protection of the surface state could be useful for both low-power electronics?and error-tolerant quantum computing. For a thin slab of three-dimensional topological insulator, the boundary modes from the opposite surfaces may be coupled by quantum tunnelling, so that a small, thickness-dependent gap is opened up. Here we report such results from angle-resolved photoemission spectroscopy on Bi2Se3?films of various thicknesses grown by molecular beam epitaxy. The energy gap opening is clearly seen when the thickness is below six quintuple layers. The gapped surface states also exhibit sizeable Rashba-type spin–orbit splitting because of the substrate-induced potential difference b