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第三节 场效应管应用D i iDRvGvDSS一、有源电阻 与普通的线性电阻不同，用三端器件构成的有源电阻，一般都是非线性的。 例如、有一三端器件（N沟道EMOS管），连接成二端有源电阻器，如图所示： 当 时，EMOS管工作在饱和区 D i iDRvGvDSS 根据电路可知：则即 iDQ0vGS根据此方程，可画出伏安特性曲线。 IDQVGSQ 根据伏安特性，可知有源电阻是非线性的，其阻值的大小是随Q点的变化而变化的。有源电阻可被定义为： 式中 VGSQ 、IDQ 均为直流分量，因此，R称为直流电阻。 iDIDQ QvGS0VGSQ iDΔIDQIDQΔVGSvGSVGSQ0 若在直流量上叠加一很小的交流量，如图所示： r 为有源电阻器的交流电阻，其阻值的大小是Q点处切线斜率的倒数。 DiiDGRv vDSS根据电路有 由输出特性曲线得： 例如、用N沟道DMOS管，将其栅极和源极相连而构成的有源电阻器。 iD/mAΔIDQVGSQ=0IDQΔVDSVDS/V0VDSQ 即 相同， VDDD1V1 I1T1G1S1D2G2V2 I2T2S2例一、如图所示，为有源电阻构成得分压器，已知：两管工艺参数相同 计算 V1 、V2 。 解：根据电路可知，两管串联则有 对T1管：对T2管：两管均工作在饱和区： 则有 VDDD1V1 I1T1G1S1D2G2V2 I2T2S2 因为 经整理得： 21 3v1v2v3二、开关 1、工作原理： 开关是电子线路中的一个基本器件。它的作用是实现电路“通”与“断”。在模拟电路中，开关是用来控制模拟信号的传输，通常将这种开关称为模拟开关。用示意图表示： “1” 为开关的输入端； “2”为开关的输出端； “3” 为开关的控制端 。iv1-v20（1）、在理想情况下： 设 v3 有两个电平（相对与地的电压），当 v3 为高电平时，开关“闭合”。闭合时，开关上的压降为零。即Ron = 0 。 当 v3 为低电平时，开关“断开”。 断开时，流过开关的电流为零。即 Roff →∞开关在通断之间的切换是瞬时完成的。 伏安特性 vGbaVU=-5VRLvOvI（2）、非理想的情况下： 实际应用中，是利用三端器件的可控开关特性来实现上述功能的。 例如、 用一个N沟道EMOS管作为模拟开关。设 EMOS管的 VGS(th) =2V（其值不随vUS 而变化），vI 变化范围为 –5V~5V。要是EMOS管可靠地通断，且保证导通时，管子必须工作在非饱和区。 分析：要使EMOS管可靠地“通”与“断”，即 表现出可控的开关特性。则 EMOS管在“通”时，应该工作在非饱和区： EMOS管在“断”时，应该工作在截止区： 由于vI 变化范围为 –5V~5V，则需要分为两种情况讨论。 vI 0vGabavGVU=-5VRLvObvI iDRLvO 解：对N沟道EMOS管来说：必须保证 VGS 0 、VDS 0 。 （1）、当 vI 0 时，可认为 a 为漏极、b 为源极。电路可等效为： 在非饱和区理想状态，可认为VDS ≈0 所以iDRLvGbvObavGVU=-5VRLvOvIavI 0（2）、当 vI 0 时，可认为 a 为源极，b 为漏极，电路可等效为： 若要使N沟道EMOS管可靠截止，则必须 若设式中， （假设vI 接在源极端） 只要保证 VG 7V、VG -3V ，N沟道EMOS管能够可靠得导通和断开。 若MOS管工作在非饱和区，而VDS 为小值时，即 VDS ≠0　 此时表明，vI 越大，相应的 Ron 就越大，当vI 接近于 时，沟道接近于夹断，Ron 迅速增大。 RonvI0VGH – VGS(th) T2ba+5V-5VvIvORLT1vG 对T2 管：衬底接在电路中，最高电位+5V上，栅极控制电压为 vG 与 的极性相反，大小相同。 采用CMOS管构成的模拟开关： 用两个导电沟道互补的MOS管接成的开关，即N沟道EMOS管两端并接P沟道EMOS管作为开关使用，称为CMOS开关。 对T1 管：衬底接在电路中，最低电位-5V上，栅极控制电压为vG 若设， ； 栅极控制电压vG 与 ； vI 0a-5V+5VvGT1T2bRLvO图（1） 高电