第五章_单片机存储器拓展.pptxVIP

第五章 单片机存储器扩展 MCS-51单片机系统扩展及结构 系统总线及总线结构地址总线AB单片机数据总线DB控制总线CB数据存储器程序存储器I/O接口I/O接口 总线构造PSENRD控制线WR80C51 高8位地址(A15～A8)P2ALE低8位地址(A7～A0)P0锁存器数据线(D7～D0) 以 P0口的8位口线作地址/数据线 因为P0口线既作低位地址线又作数据线使用， 为此在构造地址总线时，要增加一个8位锁存器。根据 指令时序P0口输出有效的低8位地址时，ALE信号高电 平或下降沿选通。通常使用下降沿有效的74LS373。 74LS273为上升沿选通。 以P2口的口线作为高位地址线 高位地址线并不固定为8位，需要用几位就从P2口 中引出几条口线。 控制信号PSEN 扩展程序存储器读选通EA 内/外程序存储器选择ALE 地址锁存选通信号RD、WR 扩展数据存储器和I/O端口读写选通 单片机存储器扩展及编址技术0FFFFH0FFH0FFH0FFFFH特殊功能寄存器片内RAM（80c52/80C32)ROM 1000HRAM80H80H0FFFH0FFFH7FHEA=1片内RAMEA=00000H0000H00H0000H片内程序存储器片外程序存储器片内数据存储器片外数据存储器程序存储器数据存储器 存储器扩展的编址技术线选法：直接以系统的地址作为存储芯片的 片选信号。这种编址方法对存储空间的使用是断续的，只适用于小规模单片机系统。译码法：使用译码器对系统的高位地址进行译码，以其输出作为存储芯片的片选信号。常用的译码芯片有74LS138和74LS139。 程序存储器扩展 单片程序存储器扩展 多片程序存储器扩展数据存储器扩展 单片数据存储器扩展 多片数据存储器扩展存储器综合扩展 程序存储器扩展概述1.掩膜ROM2.可编程ROM（PROM、OTP-ROM）3.紫外线擦除可改写ROM（EPROM） 2716（2KB）、2732（4KB）、2764（8KB） 27128（16KB）、27256（32KB）4.电擦除可改写ROM（EEPROM或E2 PROM ） 28C16、28C64、28C256、28C512等5.快擦写ROM（flash ROM） 28F256、28F512、28F010、28F020等 程序存储器扩展实现80C512716P2.7CEP2.2A10P2.1A9P2.0A8 74LS373GA7～ A0P0.7 ～P0.0ALED7～ D0PSENOE单片程序存储器扩展地址线、数据线和控制信号线如图连接。存储器映像 最低地址：8000H（A15~A0=1000000000000000） 最高地址：87FFH（A15~A0=1000011111111111） 由于P2.6～P 2.3可为任意状态，实际上该2716芯片对应有16个映像区： 8000H~87FFH， 8800H~8FFFH 9000H~97FFH， 9800H~9FFFH 0A000H~0A7FFH，0A800H~0AFFFH等 这种多映像区重叠是线选法造成的，因此映像区的非唯一性是线选法编址的一大缺点。 P2.7CECEP074LS373GA7～ A0A7～ A0 ALED7～ D0D7～ D02764276480C51A12～ A8A12～ A8P2.4 ～P2.0PSENOEOE两片程序存储器扩展图 以P2.7作片选信号， P2.7=0，选址范围为0000H~1FFFH P2.7=1，选址范围为8000H~9FFFH 各芯片的低位地址线并行连接 各芯片的数据线并行连接 各芯片的控制信号PSEN并行连接 给芯片的片选信号是不同的，需分别产生 数据存储器概述1.数据存储器分类：SRAM、DRAM2. SRAM典型芯片：6116、6264 其余还有EEPROM FRAM 等。3.数据存储器扩展 数据存储器扩展与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相同的。 所不同的只在于控制信号，程序存储器使用PSEN作为读选通信号，而数据存储器则使用RD和WR分别作为读写选通信号。 单片数据存储器扩展 80S373GA7～ A0P0.7 ～P0.0ALED7～ D0P2.2 ～P2.0A10～ A8RDOEWRWERD接6116的OE，WR接6116的WE，6116的地址范围是0000H～07FFH。 线选法多片存储器扩展 译码法多片数据存储器扩展80C51 74LS139Y0P2.3AY1P2.4BY2P2.5GY3 存储器综合扩展 程序存储器的读操作由PSEN控制，数据存储器的读和写分别由RD和WR来控制。 存储空间的区分1.内部ROM与RAM MOVC 指令 与 MOV 指令2.外部R