ANSYS电磁场分析指南第十四章静电场析h方法.docVIP

第十四章 静电场分析（h方法） 14.1 什么是静电场分析 静电场分析用以确定由电荷分布或外加电势所产生的电场和电场标量位（电压）分布。该分析能加二种形式的载荷：电压和电荷密度。 静电场分析是假定为线性的，电场正比于所加电压。 静电场分析可以使用两种方法：h方法和p方法。本章讨论传统的h方法。下一章讨论p方法。 14.2h方法静电场分析中所用单元 h方法静电分析使用如下ANSYS单元： 表1. 二维实体单元 单元 维数 形状或特征 自由度 PLANE121 2-D 四边形，8节点 每个节点上的电压 表2. 三维实体单元 单元 维数 形状或特征 自由度 SOLID122 3-D 砖形（六面体），20节点 每个节点上的电压 SOLID123 3-D 砖形（六面体），20节点 每个节点上的电压 表3. 特殊单元 单元 维数 形状或特征 自由度 MATRIX50 无(超单元) 取决于构成本单元的单元 取决于构成本单元的单元类型 INFIN110 2-D 4或8节点 每个节点1个；磁矢量位，温度，或电位 INFIN111 3-D 六面体，8或20节点 AX、AY、AZ磁矢势，温度，电势，或磁标量势 INFIN9 2-D 平面，无界，2节点 AZ磁矢势，温度 INFIN47 3-D 四边形4节点或三角形3节点 AZ磁矢势，温度 14.3h方法静电场分析的步骤 静电场分析过程由三个主要步骤组成： 1.建模 2.加载和求解 3.观察结果 14.3.1 建模 定义工作名和标题： 命令：/FILNAME，/TITLE GUI：Utility MenuFileChange Jobname Utility MenuFileChange Title 如果是GUI方式，设置分析参考框： GUI：Main MenuPreferencesElectromagnetics：Electric 设置为Electric，以确保电场分析所需的单元能显示出来。之后就可以使用ANSYS前处理器来建立模型，其过程与其它分析类似，详见《ANSYS建模和分网指南》。 对于静电分析，必须定义材料的介电常数（PERX），它可能与温度有关，可能是各向同性，也可能是各向异性。 对于微机电系统（MEMS），最好能更方便地设置单位制，因为一些部件只有几微米大小。详见下面MKS制到μMKSV制电参数换算系数和MKS制到μMSVfA制电参数换算系数表 表4． MKS制到μMKSV制电参数换算系数表 电参数 MKS制 量纲 乘数 μMKSV制 量纲 电压 V (kg)(m)2/(A)(s)3 1 V (kg)(μm)2/(pA)(s)3 电流 A A 1012 pA pA 电荷 C (A)(s) 1012 pC (pA)(s) 导电率 S/m (A)2(s)3/(kg)(m)3 106 pS/μm (pA)2(s)3/(kg)(μm)3 电阻率 Ωm (kg)(m)3/(A)2(s)3 10-6 TΩμm (kg)(μm)3/(pA)2(s)3 介电常数1 F/m (A)2(s)4/(kg)(m)3 106 pF/μm (pA)2(s)2/(kg)(μm)3 能量 J (kg)(m)2/(s)2 1012 pJ (kg)(μm)2/(s)2 电容 F (A)2(s)4/(kg)(m)2 1012 pF (pA)2(s)4/(kg)(μm)2 电场 V/m (kg)(m)/(s)3(A) 10-6 V/μm (kg)(μm)/(s)3(pA) 通量密度 C/(m)2 (A)(s)/(m)2 1 pC/(μm)2 (pA)(s)/(μm)2 自由空间介电常数等于8.0854E-6pF/μm 表5． MKS制到μMSVfA制电参数换算系数表 电参数 MKS 制 量纲 乘数 μMSVfA制 量纲 电压 V (kg)(m)2/(A)(s)3 1 V (g)(μm)2/(fA)(s)3 电流 A A 1015 fA fA 电荷 C (A)(s) 1015 fC (fA)(s) 导电率 S/m (A)2(s)3/(kg)(m)3 109 fS/μm (fA)2(s)3/(g)(μm)3 电阻率 Ωm (Kg)(m)3/(A)2(s)3 10-9 -- (g)(μm)3/(fA)2(s)3 介电常数 F/m (A)2(s)4/(kg)(m)3 109 fF/μm (fA)2(s)2/(g)(μm)3 能量 J (kg)(m)2/(s)2 1015 fJ (g)(μm)2/(s)2 电容 F (A)2(s)4/(kg)(m)2 1015 fF (fA)2(s)4/(g)(μm)2 电场 V/m (kg)(m)/(s)3(A) 10-6 V/μm (g)(μm)/(s)3(fA) 通量密度 C/(m)2 (A)(