钙钛矿氧化物薄膜中的应力释放机制研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 摘 要 现代微电子和集成电路的迅猛发展，要求电子设备有更高的可靠性、更小的 体积、更强的功能，这要求电子元器件向着集成化、微小化和多功能化发展。将 器件薄膜化是未来发展的主流方向，这就对对组成电子元器件的材料提出了更高 的要求。 钙钛矿氧化物薄膜材料，以其自身的介电可调性、多铁性、超导性和铁磁耦 合特性受到了极大的关注。然而，由于现有技术的限制，在钙钛矿氧化物薄膜制 造过程中难免产生缺陷和应力，影响材料的物理性质和化学性质。研究这些应力 和缺陷的产生和应力释放的机制对于生产性能更高的钙钛矿氧化物薄膜至关重 要。 本论文将用 X 射线衍射法对钙钛矿体系几种具有代表性薄膜的晶格常数、缺 陷密度进行计算，探讨其应力释放机制，为进一步优化钙钛矿氧化物薄膜的性能 提供一定的基础。本论文主要包括以下几个方面： 1. 研究不同降温速率情况下生长在 NdGaO3 基片上(Pb,Sr)TiO3 薄膜的应力 释放行为，探讨不同的降温速率对(Pb,Sr)TiO3 薄膜的应力产生的影响极其可能的 应力释放机制。 2. 研究不同沉积温度时生长在 LaAlO3 基片上 SrRuO3 薄膜的应力释放行为， 探讨了不同的沉积温度对 SrRuO3 薄膜产生的影响及可能的应力释放机制。 3. 研究以 LaAlO3 为基底分别以 BTO 和 STO 为始层对 BaTiO3/SrTiO3 多层膜 的应力释放行为，探讨不同起始层对 BaTiO3/SrTiO3 多层膜的应力产生的影响及 可能的应力释放机制。 4. 研究以 STO、MgO 和 NGO 为基底生长的 LaBaCoO3 薄膜应力释放行为， 探讨不同的基片对 LaBaCoO3 薄膜应力的影响及其可能的应力释放机制。 关键词：钙钛矿氧化物，X 射线衍射，缺陷密度，应力释放 I ABSTRACT ABSTRACT With the rapid development of modern microelectronics and integrated circuits, electronic devices with higher reliability, smaller size, and greater functionality are more popular. This requires the development of electronic components towards integration, miniaturization and multi-functional. The development of thin film device will put forward higher requirements for materials in electronic components. Perovskite oxide thin films have been aroused a great deal of attention, due to its unique properties such as dielectric tunability, multiferroic, superconductivity and ferromagnetic coupling. However, with limitations of existing technologies, during the manufacturing process of perovskite oxide thin films, it is inevitable to produce defects and stress during the fabrication, which will affect the physical and chemi