三极的结构和工作原理.pptVIP

较大的ΔiE 如(1mA) ΔVO= ΔiCRL (较大) ΔiC(较大) 如(0.98mA) 较小ΔVI 如(20mV) 三极管的放大作用 正向时PN结电流与电压成指数关系 ΔVO iB=IB+△iB iC=iE=IC+ΔiC iE=IE+ΔiE + - + _ e c b RL ΔVI 电压放大倍数 三极管基区的电流传递作用 三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。 输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以是一种电流控制器件。 两个要点 §2.2.2 三极管的特性 三极管在电路中的连接方式 共基极连接 共集电极连接 共发射极连接 三极管的特性曲线 特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线 概念 输入特性曲线 输出特性曲线 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当集电结进入反偏状态时， vCB= vCE - vBE随着 vCE的增大而增大，集电结的反偏加强。由于基区的宽度调制效应，基区变窄，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例） 输入电流与输入电压间的关系曲线 当 vCE1V以后，由于集电结的反偏电压可以在单位时间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极，故iC不随vCE变化，所以同样的vBE下的 iB不变，特性曲线几乎重叠。 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 BJT的特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 输出特性曲线的三个区域: 饱和区： 的区域，发射结正偏，集电结正偏。 iC明显受vCE控制的区域，但不随iB的增加而增大。在饱和区，可近似认为 vCE保持不变。对于小功率硅管，一般vCES＝0.2V。 放大区：此时，发射结正偏，集电结反偏。iC不随vCE变化，但随iB的增大而线性增大，且 截止区：iB=0的输出曲线以下的区域。此时， 发射结和集电结均反偏。iC只有很小的反向电流。 如何判断三极管的电极、管型和材料 发射结处于正向偏置，且对于硅管|VBE|=0.7V，锗管|VBE|=0.2V； 集电结处于反向偏置，且|VCB|＞1V； NPN管集电极电位比发射极电位高，PNP管集电极电位比发射极电位低。 当三极管在电路中处于放大状态时 例题 一个BJT在电路中处于正常放大状态，测得A、B和C三个管脚对地的直流电位分别为6V，0.6V，1.3V。试判别三个管脚的极名、是硅管还是锗管？NPN型还是PNP型？ －集电极 管子为NPN管 C－基极，B－发射极 另一例题参见P30 2.2.2-1 §2.2.3 三极管的主要参数 三极管的参数是用来表征管子性能优劣适应范围的，是选管的依据，共有以下三大类参数。 电流放大系数 极间反向电流 极限参数 电流放大系数 交流电流放大系数 b b=DIC/DIB?vCE=const b=IC / IB | vCE =const 直流电流放大系数 b 共射电流放大系数 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 电流放大系数 直流电流放大系数 α=ΔiC/ΔiE α=IC/IE 共基电流放大系数 交流电流放大系数 α与β间的关系 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 极限参数 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流 PCM值与环境温度有关，温度愈高，则PCM值愈小。当超过此值时，管子性能将变坏或烧毁。 反向击穿电压 V(BR)EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。 V(BR)CBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。 V(BR)CEO：基极开路时集电极-发射极间