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半导体制冷;;; ;; 一 半导体及其特性; ;3、半导体的种类 ; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 ;导电机制;N型半导体;空穴;杂质半导体的示意图;4、PN结的形成及其单向导电性;4.1 PN结的形成; 随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。;在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。;4.2PN结的单向导电性;PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。; ; ;塞贝尔（seebeck）效应;珀尔帖（poltier）效应;汤姆逊（thomson）效应;19世纪30年代~ 20世纪50年代;20世纪50~60年代;; 相关名词;半导体制冷片 （热电制冷片），是由上百对热电偶联成的热电堆。; 一对电偶的制冷量是很小的，如φ6xL7的电偶对,其制冷量仅为3.3～4.2kJ/h（0.92w ～ 1.2w）;图2-1 多级热电堆的结构型式 a) 串联二级热电堆 b) 并联二级热电堆 c) 串并联三级热电堆; ; 半导体不仅需要N型和P型半导体特性还要根据掺入的杂质改变半导体的温差电动势率导电率和导热率使这种特殊半导体能满足制冷的材料。 目前国内常用材料是以碲化铋为基体的三元固溶体合金其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3 N型是Bi2Te3—Bi2Se3 还有其他如： P型 Ag Ti Te N型 Bi2Sb合金 ; ;09:30:40; 3 制冷特性; 首先讨论一对热电偶的制冷特性 设热结点的温度Th ，向外界释放的热量为Qh ；冷结点温度Tc ，从外界吸收的热量（制冷量）为Q0 ，热电偶输入电功率为W，回路中电流为I。; 当电流通过电偶对时，热电元件内要放出焦耳热。焦耳热 ：;(2-8);; 4 制冷性能最佳分析;（1）获得最大温差△Tmax的条件; 若两电偶臂的几何尺寸相同，具有相同的 导热系数(λ1=λ2 )及相同的 电阻率（s1=s2)，则式（2-15）变为;;（2）制冷量最大的条件;可见 一定的电偶对的最大制冷量只和冷端温度Tc有关（Th 一定时）； 当工作温度和材料性质（α、λ、ρ）一定时，最大制冷量只和电偶的尺寸有关，短粗的电偶制冷量大，细长的电偶制冷量小。 ;（3）制冷系数最佳的条件;故制冷系数ε 与温差 Th – Tc 以及材料优值系数Z有显著关系。 当工作温度一定时，热电偶的优值系数Z越大，则材料的热点性能越好，制冷效率越高。;;; 经济性差;;;;半导体制冷空调的分类;强迫通风散热半导体制冷空调器系统图;太阳能半导体制冷系统图;汽车太阳能半导体制冷系统结构图;;美固半导体车载冰箱TF-14-12TF-14-12; 1. BK-1.5型热电空调器;;;; 2 基于半导体制冷的CPU散热;制冷控制电路和CPU组合结构;CPU半导体制冷控制电路;09:30:56