高k介质阶梯变宽度SOILDMOS-电子学报.PDFVIP

第７期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．７ ２０１８年７月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｊｕｌ．　２０１８ 高ｋ介质阶梯变宽度 ＳＯＩＬＤＭＯＳ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ ３ 姚佳飞 ，郭宇锋 ，李　曼 ，王子轩 ，胡善文 ，夏　天 （１南京邮电大学，江苏南京２１０００３；２射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室，江苏南京２１０００３； ３佛蒙特大学，美国佛蒙特州０５４０５） 　　摘　要：　本文提出了一种具有高ｋ介质阶梯变宽度结构的新型的ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件，该器件通过在漂移区内引 入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化．借助三维器件仿真软件ＤＡＶＩＮＣＩ对其势场