CdSTiO2纳米晶薄膜的原位法制备及光电化学性能研究.PDFVIP

第33 卷 第 12 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 33 No. 12 2018 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec., 2018 文章编号: 1000-324X(2018)12-1343-06 DOI: 10.15541/ji CdS/TiO 纳米晶薄膜的原位法制备及光电化学性能研究 2 1 1 2 刘灿军 , 陈 述 , 李 洁 (1. 湖南科技大学 化学化工学院, 理论有机化学与功能分子教育部重点实验室, 湘潭 411201; 2. 中南大学 化学 化工学院, 长沙 410083) 摘 要: CdS/TiO2 异质结薄膜因其优异的可见光催化性能, 在光催化领域引起了广泛关注。然而, 目前传统方法制备 的 CdS/TiO2 薄膜可能存在交界面结合不紧密的问题, 不利于光生载流子在交界面处的传输。因此, 本研究基于原 位转换的原理(TiO →CdTiO →CdS), 将 TiO 纳米晶表层原位转换成 CdS, 制备了 CdS/TiO 纳米晶薄膜。采用 X 2 3 2 2 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)手段对样品薄膜的形貌和结构进行了表征。由表 征结果可知, 在TiO2 纳米晶表面形成了CdS, 构成了交界面结合紧密的CdS/TiO2 异质结薄膜。光电化学性能研究 表明, 与传统的连续离子层吸附反应法(SILAR)制备的薄膜相比, 原位法制备的 CdS/TiO2 薄膜的光电流密度更高, 达到9.8 mA·cm–2 ( V=0.4 V (vs. RHE)); 交流阻抗谱(EIS)结果表明, 原位法制备的CdS/TiO2 薄膜具有更小的电荷传 输电阻, 说明原位法形成的 CdS/TiO2 异质结结合更紧密, 能减小光生载流子在 CdS/TiO2 界面处的传输阻力, 降低 光生载流子在传输过程中的复合几率, 进而提高CdS/TiO2 薄膜的光电化学性能。 关 键 词: CdS/TiO2 ; 光电化学性能; 原位法; 光阳极; 异质结 中图分类号: O644 文献标识码: A CdS/TiO Nanocrystalline Films: In-situ Synthesis and 2