碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究-激光与红外.PDF

第４８卷　 第５期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ４８，Ｎｏ５ 　 ２０１８年５月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｍａｙ，２０１８ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１８）０５０６０１０４ ·红外材料与器件 · 碲镉汞ｐ型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究 １ １ １ １ ２ 宁　提 ，陈慧卿 ，谭　振 ，张　敏 ，刘　沛 （１华北光电技术研究所，北京 １０００１５；２中国航天标准化与产品保证研究院，北京 １０００７１） 摘　要：对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究，采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐 蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀，通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表 面形貌，利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明，干法刻蚀工艺极易造成 碲镉汞ｐ型接触孔表面反型，提出了一种新型的干法混合刻蚀技术，该技术通过两步干法刻蚀 工艺实现，有效地降低了刻蚀引入的表面损伤。 关键词：碲镉汞；感应耦合等离子体刻蚀；低损伤 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１８．０５．０１２ ＳｔｕｄｙｏｎｌｏｗｄａｍａｇｅｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆＨｇＣｄＴｅ ｐｔｙｐｅｃｏｎｔａｃｔｈｏｌｅ １ １ １ １ ２ ＮＩＮＧＴｉ，ＣＨＥＮＨｕｉｑｉｎｇ，ＴＡＮＺｈｅｎ，ＺＨＡＮＧＭｉｎ，ＬＩＵＰｅｉ （１ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏＯｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ； ２ＣｈｉｎａＡｃａｄｅｍｙｏｆＡｅｒｏｓｐａｃｅＳｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎａｎｄＰｒｏｄｕｃｔＡｓｓｕｒａｎｃｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００７１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｄａｍａｇｅｓｉｎＨｇＣｄＴｅｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄＴｈｅｃｏｎｔａｃｔｈｏｌｅｏｆＨｇＣｄＴｅｓａｍｐｌｅｓｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙ ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）ｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇＴｈｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｆｔｈｅｅｔｃｈｅｄｓｕｒｆａｃｅｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄ ｂｙｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＳＥＭ）ａｎｄｌａｓｅｒｓｃａｎｎｉｎｇｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＬＳＭ），ａｎｄｔｈｅｄａｍａｇｅｓｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄｂｙｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅＴｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｐｔｙｐｅｈｏｌｅｏｆＨｇＣｄＴｅｓａｍｐｌｅｃａｎｅａｓｉｌｙｂｅ ｃｏｎｖｅｒｔｅｄｔｏｎｔｙｐｅｈｏｌｅｂｙｕｓｉｎｇｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇ，ｓｏａｋｉｎｄｏｆｎｅｗｄｒｙｍｉｘｅｄｅｔｃｈｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄＩｔｕｓｅｓｔｗｏ ｓｔｅｐｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｃａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｒｅｄｕｃｅｔｈｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＨｇＣｄＴｅ；ＩＣＰ；ｌｏｗｄａｍａｇｅ １　引　言 传统湿法腐蚀相比，干法刻蚀有良好的选择性、均 碲镉汞（ＭＣＴ，Ｈｇ ＣｄＴｅ）是一种重要的红外 匀性、各向异性等优点［１］。但是，碲镉汞材料是一 １－ｘ ｘ 探测