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巨磁阻效应 2007年10月，科学界的最高盛典—瑞典皇家科学院颁发的诺贝尔奖揭晓了。本年度，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔因分别独立发现巨磁阻效应而共同获得2007年诺贝尔物理学奖。 皮特-葛伦伯格是德国人，1939年生于德国比尔森，1969年在德国达姆施塔特工业大学获博士学位，自1972年起在德国于利希研究中心下属一研究所任教。 什么是巨磁电阻效应？ Giant magnetoresistance 非常弱小的磁性变化就能导致磁性材料发生非常显著的电阻变化 巨磁阻效应的应用 1，巨磁电阻（GMR）传感器的应用 2．GMR读出磁头在计算机信息存储中的应用 3．GMR在随机存储（MRAM）中的应用 4．GMR在各种逻辑元件和全金属计算机中的应用 巨磁电阻传感器 GMR读出磁头 一、电磁感应式磁头 二、磁致电阻磁头 三、巨大磁致电阻磁头 GMR在随机存储（MRAM）中的应用 逻辑元件 利用GMR材料可研制出磁性二极管、三极管和各种逻辑元件。目前正在把磁性GMR多层膜和半导体材料集成在一起，主要是利用电子的自旋注入（SPIN—INJECTION）来开发新的磁性器件。全金属的计算机将成为可能。 * * 艾尔伯-费尔是法国人，1938年生于法国南部历史名城卡尔卡松，1970年在巴黎南方大学获得博士学位，自1976年起在巴黎南方大学任教。1995年起任法国国家科学研究中心物理研究所科学主任。 怎么解释巨磁电阻效应？ 巨磁阻效应是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。 当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。 当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 Fert （1988） Fe/Cr 超晶格！ Grunberg （1986） 相邻磁矩反铁磁排列 MBE优质材料 反平行---高电阻态 平行---低电阻态 地球表面磁场约为5×10 特斯拉 -5 磁随机存储器 磁滞效应 非易丢失信息 速度快而廉价 半导体随机存储器 储存电荷 不能断电 相对较贵 *
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