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手机常用电子元器件 目录 电阻/电容/电感 二极管/三极管/场效应管 保险丝 晶体 滤波器/声表滤波器/低通滤波器/双工器/巴伦 耦合器/天线开关/功率放大器PA LDO/DCDC/限流芯片/电压检测/电流检测 PA供电IC/充电IC/模拟开关 光距离传感器/加速度传感器/陀螺仪/电阻罗盘 memory 平台套片 电阻器(Resistor): 定义：用导体制成具有一定阻值的元件. 作用: 主要职能就是阻碍电流流过 分类： a.按阻值特性:固定、可调、特种(热敏电阻) b.按制造材料:碳膜、金属膜、线绕等 c.按安装方式: 插件、贴片 电容器（capacitor）: 定义：由两金属电极夹一层绝缘介质 构成的一种储能元件. 作用: 滤波、隔直流、射频匹配 分类： a.按介质:有机薄膜、瓷介质、电解 b.按安装方式: 插件电阻、贴片电阻 c. 高频（小于100pf）高容（uF级别） 电容:不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类： COG/NPO:超稳定级I级（工类）,温度性能最稳,基本上不随温度变化 X7R:属稳定级II级,电气性能较稳定, 温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%，常用于容量为3300pF~0.33uF的电容 Y5V(Z5U):属能用级（Ⅲ）,具有很高的介电常数,常用于生产小体积,大容量的电容器,其容量随温度改变比较明显. 电感（inductor）: 定义：能产生电感作用的元件统称为电感 （线圈） 作用：阻交流通直流,阻高频通低频(滤波) 分类： a.按结构：绕线、叠成 b.按材质：空芯、铁氧体（陶瓷）、 铁芯 c.按功能：高频电感nH、功率电感uH 电感器结构的分类: 二极管 基本概念 半导体：常温下导电性能介于导体与绝缘体之间， 如硅Si，锗Ge（四价元素） 掺杂： 半导体掺入5价元素--N型半导体（右图） 掺入3价元素--P型半导体 PN结：P型和N型半导体做在一起，交界面即形成 单向导电性：PN结具有单向导电性，即二极管 二极管 基本参数: 正向压降VF： 能使二极管导通的正向最低电压 最大反向电压VR：二极管长期正常工作时所允许的最高反压. 若越过此值,PN结可能被击穿 连续电流IF： 长期正常工作时的最大正向电流 反向电流IR： 未击穿时反向电流值 最高工作频率fm：若工作频率超过fm，则二极管的单向 导电性能将不能很好地体现 封装：SOD123 --------1206 SOD323 --------0805 SOD523 --------0603 SOD923 --------0402 其他如插件 二极管分类: 三极管: 半导体三极管： 也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,由两个PN结形成，是一种电流控制电流的半导体器件. 三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、 PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、 光敏管等. 三极管的主要参数: a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式：SOT23, SOT323 场效应管 场效应晶体管(MOS FET)： 简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. NMOS右图 / PMOS 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的分类: 场效应管分：结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料: 绝缘