第一章 导体材料.pptVIP

（2）半导体的磁阻效应 当半导体处于磁场中时，半导体的电阻会增加。这就是磁阻效应。电阻值随外加磁场变化而变化的现象。 1.2 半导体材料的制备技术 一、块状单晶的生长技术 广泛应用的方法是切克劳斯基方法，又称为提拉法。 MBE：由超高真空室、基片加热块、分子束盒和各种监控仪器组成。此外，除生长室外，系统还包括用于交换样品的进样室和用于分析样品的分析室。 溅射技术的最新成就之一是磁控溅射。 在磁控溅射中引入了正交电磁场，使离化率提高到5-6%，于是溅射速率大大提高，对许多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。 分子束外延 外延（Epitaxis）是指在适当的衬底和合适的条件下，沿衬底材料晶向生长一层结晶结构完整的新单晶层薄膜的方法（薄膜的晶体结构和衬底的晶体结构保持严格的延伸关系），新生单晶层称为外延层。 外延用于生长元素、半导体化合物和合金薄结晶层。这一方法可以较好地控制膜的纯度、完整性以及掺杂级别。 电离杂质的散射 (1)、库仑势场：施主杂质电离形成正电中心、受主杂质电离形成负电中心，引入库仑附加势场，破坏了原来的周期性势场，使载流子的运动方向发生改变，产生电离杂质散射。 晶格散射 三、 半导体的光电性质 1. 半导体的光吸收 (1) 本征吸收 光照下，价带中的电子吸收光子能量后从价带跃迁到导带， 产生电子-空穴对。电子的这种带与带间跃迁的吸收过程。 本征吸收发生的必要条件：光子能量h?大于等于禁带宽度Eg, 即 h?? h?0=Eg 本征吸收限：当光子频率小于?0(波长大于?0)时，吸收系数迅速下降，对应的频率?0或波长?0为本征吸收限。 直接跃迁：跃迁过程中，价带中的电子垂直跃迁到具有相同波矢k的导带上。 直接带隙半导体：在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁过程 间接带隙半导体：导带极小值和价带极大值不具有相同的k的半导体。在本征吸收过程中，产生电子的间接跃迁过程 （2）. 激子吸收 如果光子的能量小于禁带宽度，电子不能跃迁到导带。但可以与价带上的空穴形成一个束缚较弱的电子-空穴对，这种电子-空穴对称为激子。 （3）. 杂质吸收 束缚在杂质能级上的电子-空穴对发生跃迁引起的光吸收。 （4）. 自由载流子吸收 导带上的电子（空穴）在其所在的导带（价带）内的能级上跃迁发生的光吸收，通常称为带内跃迁。由于带内能级间隔很小，所以其吸收谱基本上为连续谱。 （5）. 声子吸收 晶格振动产生的吸收 2. 光电导 用一定波长的光照射半导体，若光子能量h??Eg, 吸收光子能量，电子被激发到导带，产生电子-空穴对。即产生非平衡载流子?n、?p，?n称为非平衡载流子 小注入时， ?0+????0 ?n和?p 又称之为光生载流子。显然, ?n和?p将使半导体的电导增加一个量?σ, 我们称之为光电导。 电导增量为 光电导增加将在外电路增加的光电流?i 这种光电导型光电器件已广泛应用于光敏电阻、光电探测器等。 四、半导体的界面特性 1. pn结 Pn相关器件认识 二极管 整流桥 一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起，在其交接面处形成PN结。 PN结是各种半导体器件， 如结型晶体管、集成电路的心脏。 pn结附近电离的受主、施主所带电荷称为空间电荷（不可移动）。所在的区域为空间电荷区 电子从费米能级高的n区流向费米能级低的p区， 空穴从p流到n区。 最后，Pn具有统一费米能级EF, Pn结处于平衡状态。 外加正向偏压下 产生现象： 势垒区电场减小； 势垒区空间电荷减小； 净电流〉0 ； 宽度减小； 势垒高度降低(高度从qVD降到q（VD-V) 外加反向电场与内建势场方向一致。 现象：势垒区电场增大，势垒区空间电荷增大； 宽度增大； 势垒高度升高(高度从qVD升高到q（VD+V)； 理想pn结的电流、电压方程 正向偏压下，电流密度随电压V指数式迅速增大 反向偏压下，V0,当qVk0T时， Pn结的单向导电性 2. 光生伏特效应 光照下，在P区光生空穴对空穴浓度影响很小，而对电子浓度影响很大，从P形成电子扩散势。 若P区厚度小于电子扩散长度，则电子进入pn结，内建电场扫向n区，光生电子空穴对被内建电场分开，p区、n区两端形成负的开路电压，称为光生伏特效应。 光伏现象——半导体材料的“结”效应。光照下激发电子－空穴对时，内建电场将电子空穴对分开，在势垒两侧形成电荷堆积，形成光生伏特效应。 光照零偏pn结产生开路电压的效应——光伏效应——光电池， u0=R0i0 光照反偏工作时，观察到的光电信号是光电流，不是光电压，结型光电探测器的工作原理 反偏pn结通常称为光电二极管 五、半导体的磁学