第一章：电力电器件晶闸管.pptVIP

§1.3 半控器件—晶闸管 §1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 §1.3.2 晶闸管的基本特性 §1.3.3 晶闸管的主要参数 §1.3.4 晶闸管的派生器件 §1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 §1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 §1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 §1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 §1.3.2 晶闸管的基本特性 §1.3.2 晶闸管的基本特性 一．静态特性 §1.3.2 晶闸管的基本特性 §1.3.2 晶闸管的基本特性（动态特性） §1.3.3 晶闸管的主要参数 §1.3.3 晶闸管的主要参数 §1.3.3 晶闸管的主要参数 二．电流定额： §1.3.3 晶闸管的主要参数 二．电流定额： §1.3.3 晶闸管的主要参数 二．电流定额： §1.3.3 晶闸管的主要参数 三、动态参数：除开通时间tgt 和关断时间tq 外，还有 §1.3.3 晶闸管的主要参数 四．计算举例： §1.3.4 晶闸管的派生器件 §1.3.4 晶闸管的派生器件 二．双向晶闸管：三端器件，为NPNPN五层半导体结构 §1.3.4 晶闸管的派生器件（双向晶闸管） §1.3.4 晶闸管的派生器件 三．逆导晶闸管RCT（Reverse Conducting Thyristor） §1.3.4 晶闸管的派生器件 四．光控晶闸管LTT （Light Triggered Thyristor） §1.3.4 晶闸管的派生器件 四．光控晶闸管LTT * * 一．外形、结构和符号 ● 外形有螺栓型和平板型两种封装型式； ● 引出阳极A、阴极K和门极G （控制端）三个联接端； ● 螺栓型封装，螺栓是其阳极，可与散热器紧密联接且安装方便； ● 平板型封装的晶闸管由两个散热器将其夹在中间 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 A A G G K K c） A G K P1 J1 J2 J3 N2 P2 N1 K A G b） a） 4．晶闸管导通后，撤掉Ig，晶闸管仍维持导通； 5．关断：撤掉维持导通的正向电压或施加反向电压使其阳极电流 IA 下降到某一数值以下，晶闸管才能关断。 二．工作原理： R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I C2 I C1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) 双晶体管模型 b) 工作原理图 图1-7 晶闸管的 双晶体管模型及其工作原理 1．正向电压： J2 结反向偏置，不导通； 2．反向电压： J1、J3 结反向偏置，不导通； 3．在正向电压时注入Ig： 经V2 放大产生 IC2 , 形成V1 的基流Ib1，又经 V1 放大形 成 IC1 注入V2，最终形成正 反馈，晶闸管导通； IC1＝?1 IA ＋ ICBO1 （1－1） ?1 ：共基极电流增益 IC2＝?2 IK ＋ ICBO2 （1－2） ICBO：共基极漏电流 I K＝IA＋IG （1－3） IA＝Ic1＋Ic2 （1－4） ★ 晶闸管中的晶体管特性为： ● 在低发射极电流下? 是很小的； ● 而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 （1－5） ★ 晶闸管阳极IA：由双晶体管模型的工作原理，可导出在门极 电流的作用下IA为： ★ 阻断状态：IG=0，?1+?2 很小 流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和； ★ 开通（门极触发）：注入触发电流IG IG使发射极电流增大以致?1+?2 趋近于1的话，流过晶闸管的阳极 电流IA将趋于饱和，从而实现饱和导通。开通后IA由外电路决定； ★ 导通后：门极触发电流可撤除，门极失去控制作用； ★ 其他几种可能导通的情况： ● 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应； ● 阳极电压上升率du/dt过高； ● 结温较高； ● 光直接照射硅片，即光触发。可用此方式制成光触发晶闸管，可 保证控制电路与主电路之间的良好绝缘，应用于高压电力设备中 ● 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段 一．静态特性 ★ 承受反向电压：不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 ★ 承受正向电压：仅在门极有触发电流的情