半导体材料第3讲-区熔提纯分解.pptVIP

TDK-36型单晶炉 TDK-40型单晶炉 我国第一台单晶炉：国家工业新产品二等奖 1964年5月 TDK-40型单晶炉：陕西省高等院校重大科研成果奖 1977年8月 TDR-50型软轴单晶炉：陕西省科技成果二等奖 1984年4月 TDR-60型单晶炉：电子部优秀科技成果奖 1982年12月 TDL-FZ35型区熔单晶炉：陕西省高教二等奖 1993年9月 TDL-FZ50型区熔炉 TDR-80型单晶炉：国家经贸委认定1998年度国家级新产品 1998年9月 TDR-62CP型单晶炉：机械部科技成果二等奖 1994年12月 西安理工大学晶体生长设备研究所历年来单晶炉获科技进步奖项目：（1）我国第一台TDK-36型单晶炉：“国家工业新产品二等奖” 1964年5月（2）TDK-40型单晶炉：“陕西省高等院校重大科研成果奖” 1977年8月 “陕西省科研成果优异奖” 1978年4月 （5）JDL-40型激光单晶炉：机械部科技成果二等奖 1981年8月（7）TDR-60型单晶炉：　　电子部优秀科技成果奖 1982年12月（9）TDR-50型软轴单晶炉：　　机械部科技大会特级嘉奖 1985年3月（11）SJ81-4型光导纤维拉丝炉：机械部科技进步二等奖 1985年12月（13）TDR-62CP型单晶炉：机械电子部七五科技攻关重大成果表彰 1991年10月（14）TDL-FZ35型区熔单晶炉：陕西省高教二等奖 1993年9月（15）TDL-FZ35型区熔单晶炉：陕西省科技成果三等奖 1994年1月（17）TDR-62CP型单晶炉：机械部科技成果二等奖 1994年12月（18）TDR-80型单晶炉：国家经贸委认定1998年度国家级新产品 1998年9月 天津环欧半导体材料技术有限公司的区熔硅单晶生产线，生产出当时国内直径最大为130毫米（5英寸）的区熔硅单晶和CFZ（直拉区熔）单晶。 “2002年3月份，该公司引进了丹麦托普索公司生产的目前国际上技术最先进、加工范围最大的FZ- 30区熔炉，用自己研制开发的专有技术和专有软件，生产出了直径为76毫米（3英寸），长度为2.2米的区熔硅单晶和同样为全球之最的直径为102毫米 （4英寸）长度为1.5米的区熔硅单晶。这次又生产出直径为130毫米（5英寸）、长度为930毫米的区熔硅单晶，是当时国内直径最大、长度最长的同类产品。” 京运通 作业 简述区熔提纯的定义及其物理机制. 简述一次区熔提纯和正常凝固过程的区别与联系. 简述实际区熔提纯中分凝系数的变化及其成因. * * * * * * * 当fD/δ,e(-f/d/δ)→e-0 → 1，则有： 为使分凝效应显著，应使凝固速度fD/δ，通常(f10-3 cm/s)。采用电磁搅拌熔体，会使扩散层中积累的杂质加速输运到整个熔体中。扩散层厚度δ变小，有助于Keff趋向于K0 2-2 区熔原理 正常凝固 将一锭条全部熔化后，使其从一端向另一端逐渐凝固的方式称正常凝固。 由于存在分凝现象，正常凝固后锭条中的杂质分布不再均匀，会出现三种情况： K1的杂质，越接近尾部浓度越大，杂质向尾部集中 K1的杂质，越接近头部浓度越大，杂质向头部集中 K≈1的杂质，基本保持原有的均匀分布的方式。 为方便讨论问题，先做三点假设。 杂质在固体中的扩散速度比其凝固速度慢，忽略杂质在固体中的扩散 杂质在熔体中的扩散速度比其凝固速度快，认为杂质在熔体中分布均匀。 杂质的分凝系数是常数。 回 顾 1、分凝现象 2、平衡分凝系数 3、有效分凝系数 4、BPS公式 5、正常凝固 CS=kC0(1-g)k-1 正常凝固过程中，固相中杂质浓度CS沿锭长的分布公式推导： CS 已凝固部分 熔体 CL 1-g g dg -ds =Cs×dg Cs 再凝固部分 由于有一部分熔体凝固，所以熔体中杂质的量减少，减少的量ds为： 再凝固部分的浓度为CS: CS = - ds/dg ∵ 凝固系数 k = CS/CL, 熔体总杂质量为s = s 1-g 代入上式： -ds/dg = ks/(1-g) 积分后得：s=s0(1-g)K ∵材料锭是单位体积， 设有一锭材，长1m，单位体积 杂质总量为S0，初始浓度为C0 CS=Ks/(1-g) = ks0(1-g)k/(1-g)=kC0(1-g)k-1 代入上式，求出固相中杂质浓度CS沿锭长的分布公式 ∴ CS= KCL = Ks/(1-g)， ∴S0=C0×1=C0 长1m,总杂质量s0，初始浓度C0= s0 /1 杂质在区熔后锭体中的分布规律 K≈1的杂质，分布曲线接近水平，即浓度沿锭长变化不大 K0.