可变电容梳状悬浮结构制作.PDF

第三章 可變電容梳狀懸浮結構製作 目前應用在微機電系統的製造技術可概分為四類﹐分別為面型微 加工(Surface Micromachining) 、體型微加工(Bulk Micromachining) 、 LIGA 技術及各種微機械加工技術，面型矽基加工係指利用半導體製 程之薄膜沉積及蝕刻技術在晶片上製作微機械元件。體型矽基加工係 指利用非等向性蝕刻﹑蝕刻終止與蝕刻幕罩等技術刻蝕單晶矽本身， 製作微機械元件。LIGA 技術係結合X-ray 光蝕刻、電鍍與射出成型 製作高深寬比微機械結構。微機械加工則利用切削加工、放電加工或 射出成型等方法來製作微機械元件﹝43 ﹞。 本文利用面型微加工技術製作來製作可變電容梳狀懸浮結，此技 術結和了黃光微影、犧牲層、薄膜沉積和電鍍製程。 3-1 面型微加工技術 面型微加工技術與積體電路的製作相似，在於堆疊薄層結構材料 於基材晶片之上，微結構的厚度尺寸集中在晶片表面數微米的範圍之 內，但加上所謂「犧牲層」的觀念，進行多樣的微結構設計製作 ﹝44 ﹞。 利用增層(Build-up)的方式，在平坦度要求很高的矽晶片表面上， 使用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)將沉積厚度僅數微米的多晶矽 (poly-Si)一層一層的往上沉積，最後，再利用等方向性蝕刻(Isotropic 23 Etching)方式選擇性的將中間犧牲層(Sacrificial Layer)挖空，使得剩下 的多晶矽層形成可微細移動的懸浮結構。面型微加工流程如圖3.1 所 示：矽晶片 二氧化矽(Silicon Dioxide) 光阻塗佈 蝕刻 去 光阻 多晶矽沉積 去氧化層(犧牲層) 。 3.1 面型微加工製作流程 3.1.1 面型微加工犧牲層之種類 對於製程上不同的需求，可以尋找許多材料與製程，以達到建構 微結構之目的。下面舉出數種建構面型微加工犧牲層的種類﹝45 ﹞： 1. 若使用多晶矽為結構層，便挑選低溫氧化矽(LTO)或磷矽酸玻璃 (PSG)作為犧牲層，腐蝕液為BOE 。 2. 若使用絕緣材料(氧化矽、氮化矽)為結構層，便挑選(鋁)金屬作為 犧牲層，腐蝕液為一般非HF 系列之酸液。 24 3. 若使用金屬為結構層，絕緣材料作為犧牲層，則可以挑選乾蝕刻 法中適當之電漿去除犧牲層。 3-2 可變電容梳狀懸浮結構製程 本論文製作之可變電容梳狀懸浮結構設計佈局如圖3-2 所示，各 局部示意如圖3-3 所示： 圖3-2 可變電容梳狀懸浮結構設計佈局圖 圖3-3 可變電容梳狀懸浮結構局部示意圖 25 設計參數如表3-1 所示： 設計參數 Var. Description (µm) Var. Description (µm) Lb length of flexure beam 100 wcy width of comb yoke 12 wb width of flexure beam 2 Lcy length of comb yoke 171 Lt length of truss beam 18 Lc length of comb fingers 40 wt width of flexure beam 15 wc width of comb fingers 2 Lsy length of shuttle yoke 90 g gap between comb fingers 2 wsy width of shuttle yoke 17 x0 comb finger overlap 20 ws