07微电子工艺基础金属淀积.pdf

77章章 金属淀积金属淀积工艺工艺 微电子工艺基础 77章章 金属淀金属淀积积工艺工艺 本章目标： 1、了解VLSI对金属化的要求 2、常见金属特性比较 3、Al-Si接触的常见问题及解决办法 4、金属化的实现 微电子工业基础 77章章 金属淀金属淀积积工艺工艺 一、基本概念 二、VLSI对金属化的要求 三、金属化的实现 微电子工业基础 77章章 金属淀金属淀积积工艺工艺 一、基本概念 1、金属薄膜的用途 2、金属化工艺 3、抗电迁移性 4、可键合性 5、台阶覆盖性 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 一、一、基本基本概念概念 1、金属薄膜的用途 （1）在 电子器件与电路中金属薄膜最重要的用 途是作为内电极（MOS栅极和电容器极板）和各 元件之间的电连接。 （参阅教材P273下面） （2）在某些存储电路中作为熔断丝。 （参阅教材 P273下面） （3）用于晶圆的背面 （通常是金），提高芯片和 封装材料的黏合力。 （参阅教材P274下面） 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 一、一、基本基本概念概念 2、金属化工艺 （1）定义 把各个元件连接到一 的工艺称为金属化工艺。 （P266简介部分） 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 一、一、基本基本概念概念 2、金属化工艺 （2 ）多层金属的框架 见教材P267 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 一、一、基本基本概念概念 3、抗电迁移性 所谓电迁移，是指金属的个别原子在特定条件下 （例如高电压或高电流）从原有的地方迁出。 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 一、一、基本基本概念概念 4、可键合性 引线连接的最关键问题是可键合性与可靠性。可键 合性是指两种金属依靠一定键合工艺使它们结合 来的能力。连接应有一定的强度，使用较长时间后 不会脱开。 微电子工业基础 5、台阶覆盖性 ② ③ 微电子工业基础 77章章 金属淀金属淀积积工艺工艺 二、VLSI对金属化的要求 1、要求 2、常见金属特性比较 3、Al-Si接触 4、掺杂的多晶Si 5、难熔金属及其硅化物 微电子工业基础 77章章 金属淀积工艺金属淀积工艺 二、二、VVLLSISI对金对金属属化的化的要求要求 1、要求 集成电路对金属化的要求： ① 对n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻欧姆接触，即金属/硅接触电阻小 ② 能提供低电阻的互连引线，从而提高电路速度 ③ 抗电迁移性能要好 ④ 与绝缘体 （如二氧化硅）有良好的附着性 ⑤ 耐腐蚀 ⑥ 易于淀积和刻蚀 ⑦ 易键合，且键合点能经受长期工作 ⑧ 层